[发明专利]TXDH型PT直流解耦消谐模块在审
申请号: | 201811003365.4 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN108963997A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 王万章;张数生 | 申请(专利权)人: | 北京中联太信科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 100022 北京市朝阳区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 消谐 导芯 电阻 解耦 互感器 交流配电系统 锡箔 交流阻抗 电容 高阻 一次绕组电流 正常运行条件 电信号连接 电压互感器 谐振过电压 激磁电流 绝缘电缆 限制电压 一次绕组 影响电压 直流测量 直流阻抗 绝缘套 低阻 支架 测量 外部 | ||
本发明公开了一种TXDH型PT直流解耦消谐模块,包括导芯、流敏电阻、支架、锡箔电容,导芯外部固定安装有导芯绝缘套,导芯下侧设置流敏电阻,导芯与流敏电阻通过绝缘电缆电信号连接,流敏电阻右侧设置锡箔电容,在交流配电系统正常运行条件下,TXDH型PT直流解耦消谐模块呈现直流阻抗高阻,大于2000兆欧,保障交流配电系统中的直流测量信号准确;交流阻抗呈现低阻,40‑50千欧,不影响电压互感器的测量精度,发生PT铁磁谐振时,TXDH型PT直流解耦消谐模块因快速呈现交流阻抗高阻而实现快速消谐,谐振过电压幅值越大,消谐时间越短,限制电压互感器一次绕组的激磁电流突增,防止因电压互感器一次绕组电流突增而损坏。
技术领域
本发明涉及PT直流解耦消谐技术领域,尤其涉及一种TXDH型PT直流解耦消谐模块。
背景技术
电磁式电压互感器简称为PT,是一种把电网中的高电压转化为低压,便于监视和测量的高压设备,由于PT低压侧负载很小,接近于空载状态,从高压侧对地看入的等效励磁感抗很大,当线路中发生母线开关合闸操作或系统负荷剧烈变化时,所产生的暂态冲击过程会在电磁式电压互感器和三相导线对地电容间激发起铁磁谐振回路,引起PT饱和,导致PT熔断器熔断、PT烧损、母线短路,威胁系统及工作人员的安全。采用容性回路与流敏阻性回路串联回路实现交流系统中直流信号检测准确,同时电磁式电压互感器铁磁谐振发生时破坏谐振条件。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种TXDH型PT直流解耦消谐模块,TXDH型PT直流解耦消谐模块呈现直流阻抗高阻,大于2000兆欧,保障交流配电系统中的直流测量信号准确;交流阻抗呈现低阻,小于40千欧,不影响电压互感器的测量精度,发生PT铁磁谐振时,TXDH型PT直流解耦消谐模块因快速呈现交流阻抗高阻而实现快速消谐,基波谐振的消谐时间约为1.56s,分频谐振的消谐时间为2.1s,在3.5倍过电压下,PT直流解耦消谐模块能够将PT激磁电流限制在200mA以下。
根据本发明实施例的TXDH型PT直流解耦消谐模块,包括导芯、流敏电阻、支架、锡箔电容,其中,所述导芯外部固定安装有导芯绝缘套,所述导芯下侧设置所述流敏电阻,所述流敏电阻外侧固定安装有流敏电阻绝缘套,所述流敏电阻与所述流敏电阻绝缘套之间嵌套安装有绝缘树脂套管,所述导芯与所述流敏电阻通过绝缘电缆电信号连接,所述流敏电阻右侧设置所述锡箔电容,所述锡箔电容与所述流敏电阻通过绝缘电缆电信号连接,所述锡箔电容外侧固定安装有电容绝缘护套,所述锡箔电容与所述电容绝缘护套之间嵌套安装有铝合金护套,所述流敏电阻绝缘套与所述电容绝缘护套固定安装在所述支架上部。
优选的,所述导芯上部设置有电路连接件,所述电路连接件接入电压互感器电路中,所述电压互感器电路包括电网三相母线、三相一次绕组、三相二次绕组、开口三角绕组。
优选的,所述导芯及连接件与流敏电阻串联组成用于限制PT一次电流激增的第一电路,所述锡箔电容回路与所述第一电路串联构成提高模块的直流阻抗确保直流信号精确测量的第二电路,电路连接件通过导线接入三相一次绕组一次中心点UN处,所述锡箔电容接地端通过所述支架金属底座接地。
优选的,所述流敏电阻绝缘套上部固定安装有第一伞裙,所述电容绝缘护套上部固定安装有第二伞裙。
本发明中,正常运行条件下,TXDH型PT直流解耦消谐模块呈现低阻,不改变电压互感器的运行工况,对互感器的测量精度不会产生影响,发生PT铁磁谐振时,TXDH型PT直流解耦消谐模块因快速呈现高阻而实现快速消谐,谐振过电压幅值越大,消谐时间越短,限制电压互感器一次绕组的激磁电流突增,防止因电压互感器一次绕组电流增加,熔断器熔断后因能量不足不能灭弧引发的母线短路事故。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
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