[发明专利]用于形成电路结构的装置和方法

权利要求书

1.一种用于形成电路结构的方法，其包括：

形成不同组成第一材料和第二材料的竖直交替的层；

形成阶梯式结构，其包括阶状物，所述阶状物分别包括在所述第一材料上方的所述第二材料，所述阶梯式结构包括在所述阶状物上方的绝缘材料；

形成操作性导电通路孔，其至少分别竖向地延伸穿过所述绝缘材料、穿过所述阶状物中的一个并穿过所述竖直交替的层到所述竖直交替的层的底部；所述操作性导电通路孔分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件；

形成虚设结构，其至少分别竖向地延伸穿过所述绝缘材料、穿过所述竖直交替的层并穿过所述阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部；和

在形成所述虚设结构和所述操作性导电通路孔之后，将所述第二材料的至少大部分从所述阶梯式结构蚀刻掉。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括同时形成所述操作性导电通路孔和所述虚设结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻将所有第二材料从所述阶梯式结构蚀刻掉。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述蚀刻之前形成竖向地延伸到所述竖直交替的层中的水平延长的沟槽，所述蚀刻包括使蚀刻剂流过所述沟槽到所述第二材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述阶梯式结构以包括所述阶状物的相对的第一组和第二组。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括形成多个所述阶梯式结构，其中所述阶梯式结构的紧邻部分通过竖向外部平台彼此分离。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括：

形成操作性传导通路孔，其分别竖向地延伸到所述导电阶状物中的一个的导电材料并与所述导电材料直接电耦合；和

在所述阶梯式结构上方形成互连线，所述互连线分别将不同的个别所述操作性传导通路孔和不同的个别所述操作性导电通路孔一起直接电耦合。

8.一种用于形成竖向延伸的晶体管阵列和邻近于其的电路结构的方法，其包括：

形成不同组成第一材料和第二材料的竖直交替的层，所述竖直交替的层包括阵列部分和邻近于所述阵列部分的部分；

在所述阵列部分中形成竖向地延伸到所述竖直交替的层中的沟道开口，且在个别所述沟道开口中形成晶体管沟道材料；

形成阶梯式结构，其包括阶状物，所述阶状物分别包括在所述第一材料上方的所述第二材料，所述阶梯式结构包括在所述阶状物上方的绝缘材料；

在所述邻近部分中形成竖向地延伸穿过所述绝缘材料和所述竖直交替的层的虚设结构开口，所述虚设结构开口至少分别竖向地延伸穿过所述阶状物中的一个到所述竖直交替的层的底部；

在所述邻近部分中形成竖向地延伸穿过所述绝缘材料和所述竖直交替的层的通路孔开口，所述通路孔开口至少分别竖向地延伸穿过所述阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部；

在个别所述虚设结构开口中形成绝缘内衬和导电芯以形成虚设结构且在个别所述导电通路孔开口中形成绝缘内衬和导电芯以形成操作性导电通路孔，所述操作性导电通路孔分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件；和

在形成所述虚设结构和所述操作性导电通路孔之后，用导电材料替换所述第二材料的至少大部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括在形成所述沟道开口之前形成所述阶梯式结构。

10.根据权利要求8所述的方法，其包括在形成所述沟道开口之后形成所述阶梯式结构。

11.根据权利要求8所述的方法，其包括同时形成所述虚设结构开口和所述通路孔开口。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括同时在所述虚设结构开口和所述导电通路孔开口中形成所述绝缘内衬和所述导电芯。