[发明专利]磁性存储装置

说明书

根据一个实施例，磁性存储装置包含第一存储器单元，所述第一存储器单元包含磁阻效应元件和选择器，所述选择器包含钛Ti、锗Ge和碲Te。

相关申请的交叉引用

本申请案基于2018年3月13日提交的日本专利申请案第2018-044949号且要求所述专利申请案的优先权益，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中所描述的实施例大体上涉及一种磁性存储装置。

背景技术

已知一种使用磁阻效应元件作为存储元件的磁性存储装置(磁阻随机存取存储器；Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)。

发明内容

一般来说，根据一个实施例，磁性存储装置包含第一存储器单元，所述第一存储器单元包含磁阻效应元件和选择器，所述选择器包含钛(Ti)、锗(Ge)和碲(Te)。

根据实施例，可改良单元的集成密度。

附图说明

图1是描述根据第一实施例的磁性存储装置的配置的框图。

图2是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元阵列的配置的电路图。

图3是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元阵列的配置的截面图。

图4是描述根据第一实施例的磁性存储装置的磁阻效应元件的配置的截面图。

图5是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的特性的图。

图6是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的选择操作的示意图。

图7是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的制造方法的示意图。

图8是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的制造方法的示意图。

图9是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的制造方法的示意图。

图10是描述根据第一实施例的磁性存储装置的存储器单元的制造方法的示意图。

图11是描述在根据第一实施例的磁性存储装置的选择器的退火工艺之后的特性的图。

图12是描述根据第二实施例的磁性存储装置的存储器单元阵列的配置的截面图。

图13是描述根据第三实施例的磁性存储装置的存储器单元阵列的配置的截面图。

具体实施方式

在下文将参考附图描述实施例。应注意，在以下描述中，共同附图标记指示具有相同功能和布置的组件。为区分具有共同附图标记的多个组件，向共同附图标记中添加下标。应注意，如果没有必要专门区分多个组件，那么没有任何下标的共同附图标记表示多个组件。

1.第一实施例

将描述根据第一实施例的磁性存储装置。根据第一实施例的磁性存储装置是例如通过垂直磁化方法的磁性存储装置，其使用磁阻效应(磁性隧道结；Magnetic TunnelJunction，MTJ)元件作为存储元件。

1.1配置

首先，将描述根据第一实施例的磁性存储装置的配置。

1.1.1磁性存储装置的配置

图1是示出根据第一实施例的磁性存储装置的配置的框图。如图1中所示，磁性存储装置1包含存储器单元阵列10、行选择电路11、列选择电路12、解码电路13、写入电路14、读取电路15、电压产生电路16、输入/输出电路17以及控制电路18。