[发明专利]半导体存储器封装件在审

专利信息
申请号: 201811005175.6 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109994434A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 李钟周;安凞又 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/49
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电路径 基底基板 外部连接焊盘 芯片焊盘 封装件 半导体存储芯片 半导体存储器 芯片连接焊盘 开路短截线 公共线路 芯片 延伸 电连接 上表面 未连接 下表面 开路
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器封装件,包括:

封装基底基板,所述封装基底基板包括基板基底以及分别布置在所述基板基底的上表面和下表面上的多个芯片连接焊盘和多个外部连接焊盘;以及

至少两个半导体存储芯片,所述至少两个半导体存储芯片安装在所述封装基底基板上并且每个半导体存储芯片都具有电连接到所述多个芯片连接焊盘的多个芯片焊盘,

其中,第一电路径从所述多个外部连接焊盘中的一个外部连接焊盘延伸到所述至少两个半导体存储芯片中的一个半导体存储芯片的第一芯片焊盘,第二电路径从所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘延伸到所述至少两个半导体存储芯片中的另一个半导体存储芯片的第二芯片焊盘,

所述第一电路径和所述第二电路径包括从所述第一电路径和所述第二电路径的分支点延伸到所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘的公共线路,

所述第一电路径的第一支线从所述分支点延伸到所述第一芯片焊盘,所述第二电路径的第二支线从所述分支点延伸到所述第二芯片焊盘,并且

所述封装基底基板包括从所述公共线路延伸的开路短截线,所述开路短截线具有连接到所述公共线路的一端和开路的未连接到另一电路径的另一端,并且所述开路短截线的短截线延伸长度大于所述第一支线和所述第二支线中的较长支线的分支延伸长度的一半且小于所述分支延伸长度的两倍。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述开路短截线的所述一端连接到所述公共线路的、相比于所述分支点更靠近所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘的部分。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述开路短截线的所述一端连接到所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述开路短截线沿着所述基板基底的下表面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述基板基底包括多个层,并且

所述开路短截线设置在所述多个层的中间层上。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器封装件,其中,所述多个层包括接地平面层。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器封装件,其中,所述开路短截线设置在所述接地平面层上。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器封装件,还包括辅助导电过孔,所述辅助导电过孔布置在所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘上并且穿过所述基板基底的一部分连接到所述开路短截线。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述分支点是所述多个芯片连接焊盘中的一个芯片连接焊盘。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器封装件,其中,所述第一支线和所述第二支线均包括接合线。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述分支点是所述基板基底中的布线图案或导电过孔的一部分。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器封装件,其中,所述第一支线和所述第二支线均包括所述基板基底中的所述布线图案或所述导电过孔的连接到所述多个芯片连接焊盘中的一个芯片连接焊盘的部分,以及将所述多个芯片连接焊盘中的所述一个芯片连接焊盘连接到所述多个芯片焊盘中的一个芯片焊盘的接合线。

13.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,还包括附接到所述多个外部连接焊盘的多个焊球或多个引脚。

14.根据权利要求1所述的半导体存储器封装件,其中,所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘用于数据输入/输出或时钟信号。

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