[发明专利]一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法有效
| 申请号： | 201811005392.5 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109166793B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王晨曦;许继开;方慧;周诗承;田艳红 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/268 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 真空 紫外光 等离子体 活化 直接 键合铌酸锂 晶片 方法 | ||
1.一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：所述方法具体步骤如下：
步骤一：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下1~5 mm距离处，在20~80%的湿度条件下活化；
步骤二：将真空紫外光活化后的铌酸锂晶片和硅晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下，以100~300 W的功率活化；
步骤三：将经两步活化后的铌酸锂晶片和硅晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；
步骤四：将存储后的晶片置于100~180 °C的温度条件下保温5~36 h，即完成铌酸锂和硅的直接键合。
2.根据权利要求1所述的一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：步骤一中，所述的真空紫外光的波长为10~190 nm。
3.根据权利要求1所述的一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：步骤一中，所述的活化时间为5~30 min。
4.根据权利要求1所述的一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：步骤二中，所述的活化时间为5~250 s。
5.根据权利要求1所述的一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：步骤三中，所述的存储时间为12~72 h。
6.根据权利要求1所述的一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，其特征在于：步骤四中，升温速率为0.5~5°C/min。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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