[发明专利]半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体裸片，其包括集成电路；

第一裸片环，其包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括延伸穿过导电材料和绝缘材料的交替层级的导电路径；

第二裸片环，其包括围绕所述第一裸片环安置的导电材料；和

导电互连件，其将所述第一裸片环电连接到第二裸片环，所述导电互连件从所述半导体裸片的表面穿过所述导电材料和所述绝缘材料的所述交替层级延伸到所述半导体裸片中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片环和所述第二裸片环各自包括导电垫和形成从邻近衬底的表面处到所述半导体裸片的所述表面的所述导电路径的导电通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电互连件包括与所述第一裸片环和所述第二裸片环的相同材料中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片环在邻近所述导电互连件的位置处展现相对于其在所述导电互连件远处的宽度的减小的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述减小的宽度包括在所述第一裸片环的远离所述导电互连件的位置处的所述第一裸片环的宽度的介于50％与80％之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括围绕所述第二裸片环安置的第三裸片环，其中所述第三裸片环与所述第二裸片环电连通。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第三裸片环至少经由所述导电互连件中的至少一者与所述第二裸片环电连通。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第三裸片环包括不连续分段结构，所述第三裸片环的不同部分经由至少一个导电互连件电耦合到所述第二裸片环，所述至少一个导电互连件不同于将所述第一裸片环电连接至所述第二裸片环的导电互连件。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其另外包括围绕所述第三裸片环安置且与所述第三裸片环电连通的第四裸片环。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括围绕所述第二裸片环安置的第三裸片环和围绕所述第三裸片环安置的第四裸片环，其中所述第三裸片环与所述第二裸片环电连通且包括围绕所述第二裸片环的连续结构，且其中所述第四裸片环与所述第三裸片环电连通且包括连续结构。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片环和所述第二裸片环中的至少一个包括四个边缘，其中所述第一裸片环和所述第二裸片环中的所述至少一个的每一边缘电连接到至少四个导电互连件。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片环和所述第二裸片环中的所述至少一个的竖直边缘与其水平边缘相比电连接到更大数目个导电互连件。

13.一种半导体裸片，其包括：

第一裸片环，其在半导体裸片的外围区域中，所述第一裸片环包括从所述半导体裸片的上表面延伸到所述半导体裸片中且包括导电材料的连续导电结构；

第二裸片环，其围绕所述第一裸片环，所述第二裸片环包括导电材料；和

第一导电互连件，其将所述第一裸片环电连接到所述第二裸片环，其中在邻近所述第一导电互连件的位置处的所述第一裸片环和所述第二裸片环之间的距离大于在远离所述第一导电互连件的位置处的所述第一裸片环和所述第二裸片环之间的距离。

14.根据权利要求13所述的半导体裸片，其中所述第二裸片环经由多个第一导电互连件电连接到所述第一裸片环。