[发明专利]一种TFT基板及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和半导体层，所述半导体层的材质为P型金属氧化物，所述半导体层覆盖部分所述缓冲层；

在所述半导体层和所述缓冲层上依次形成栅绝缘材料层和栅金属层；

利用光刻胶对所述栅金属层进行刻蚀形成栅极，以及对所述栅绝缘材料层进行刻蚀形成栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述基板上的正投影比所述栅极在所述基板上的正投影的面积大，且所述栅绝缘层在所述基板上的正投影与所述栅极在所述基板上的正投影中心重合；

在所述缓冲层、所述半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极上制备层间绝缘层，并形成源极接触区和漏极接触区，再依次制备源极、漏极和钝化层，得到TFT基板。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述栅极在所述基板上的正投影的面积是所述栅绝缘层在所述基板上的正投影的面积的40％-90％。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述P型金属氧化物包括氧化锡、氧化亚锡、氧化铜和氧化亚铜中的至少一种。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，利用光刻胶对所述栅金属层进行刻蚀形成栅极，以及对所述栅绝缘材料层进行刻蚀形成栅绝缘层，包括：利用所述光刻胶对所述栅金属层进行湿法刻蚀形成栅极，再利用所述光刻胶对所述栅绝缘材料层进行干法刻蚀形成栅绝缘层。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层、所述栅绝缘材料层、所述层间绝缘层和所述钝化层的材质独立地选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述栅金属层、源极和漏极的材质独立地选自钼、铝、铜、钛中的至少一种。

7.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述半导体层的厚度为所述栅绝缘材料层的厚度为所述栅金属层的厚度为

8.如权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述制备层间绝缘层之前还包括：利用所述光刻胶，通过等离子体处理的方式对所述半导体层的两侧进行导体化处理。

9.一种TFT基板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到，所述TFT基板包括基板，以及依次形成在所述基板上的缓冲层、半导体层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极、漏极和钝化层，其中，所述栅绝缘层在所述基板上的正投影比所述栅极所在述基板上的正投影的面积大，且所述栅绝缘层在所述基板上的正投影与所述栅极在所述基板上的正投影中心重合，所述层间绝缘层覆盖在所述缓冲层、所述半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极上，所述钝化层覆盖在所述层间绝缘层表面且完全覆盖所述源极和所述漏极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的TFT基板。