[发明专利]一种增加VDMOS沟道密度的布图结构和布图方法

权利要求书

1.一种增加VDMOS沟道密度的布图结构，其特征在于，所述布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：

每个元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔；其中每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅平行设置，所述第三沟槽栅和接触孔置于所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅之间；所述第一方向为垂直所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；所述第二方向为平行所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；其中，所述接触孔至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；所述第三沟槽栅至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；所述接触孔至所述元胞内的第三沟槽栅的间距以及距相邻元胞内的第三沟槽栅的间距均不小于所述第一最小间距。

2.根据权利要求1所述的增加VDMOS沟道密度的布图结构，其特征在于，所述元胞宽度为单位尺寸a；所述第一沟槽栅和第二沟槽栅的尺寸为1.067a×0.2a；所述第三沟槽栅的尺寸为0.467a×0.467a；所述接触孔的尺寸为0.2a×0.2a；所述接触孔到所述第三沟槽栅的距离为0.2a，所述接触孔到所述第一沟槽栅和第二沟槽栅的距离分别为0.2a，所述第三沟槽栅到所述第一沟槽栅和第二沟槽栅的距离分别为0.067a。

3.根据权利要求2所述的增加VDMOS沟道密度的布图结构，其特征在于，所述元胞的沟道密度＝(2a+0.467a×4)/(a×1.067a)＝3.625/a。

4.一种增加VDMOS沟道密度的布图方法，其特征在于，所述方法包括：

设定元胞的构成；所述元胞包括第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔；所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅平行设置，所述第三沟槽栅和接触孔置于所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅之间；

基于所述元胞的构成和设计规则确定所述接触孔和所述第三沟槽栅在元胞中第一方向上的位置；其中，所述接触孔至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于所述设计规则规定的第一最小间距；所述第三沟槽栅至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于所述设计规则规定的第二最小间距；所述第一方向为垂直所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；

基于所述元胞的重复排列结构和所述设计规则，确定所述接触孔和所述第三沟槽在所述元胞中第二方向上的位置；其中，所述接触孔至所述元胞内的第三沟槽栅的间距以及距相邻元胞内的第三沟槽栅的间距均不小于所述第一最小间距；所述第二方向为平行所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；

计算所述元胞的沟道密度，根据计算得到的最优沟道密度确定所述元胞的元胞结构；所述元胞结构包括所述元胞内第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔的排布位置及尺寸；

将所述元胞沿第一方向和第二方向重复排列，形成所述VDMOS器件的沟槽栅与接触孔的布图结构；其中所述第一方向上相邻的两个元胞中，第一元胞的第二沟槽栅与第二元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅。

5.根据权利要求4所述的增加VDMOS沟道密度的布图方法，其特征在于，所述元胞宽度为单位尺寸a；

根据所述设计规则规定的第一最小间距，所述接触孔至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于0.2a；

根据所述设计规则规定的第二最小间距，所述第三沟槽栅至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于0.067a。

6.根据权利要求5所述的增加VDMOS沟道密度的布图方法，其特征在于，所述确定所述元胞内的最优沟道密度，从而确定所述元胞的元胞结构具体为：

根据所述元胞中单位面积内的沟道周长/单位面积建立计算所述沟道密度的数学方程模型；

依据既定设计规则和所述数学方程模型，确定所述元胞结构，包括：尺寸为0.467a×0.467a的第三沟槽栅、1.067a×0.2a的第一沟槽栅和第二沟槽栅、0.2a×0.2a的接触孔，所述接触孔到所述第三沟槽栅的距离为0.2a，所述接触孔到所述第一沟槽栅和第二沟槽栅的距离分别为0.2a，所述第三沟槽栅到所述第一沟槽栅和第二沟槽栅的距离分别为0.067a。