[发明专利]一种场发射阴极电子源及其阵列

权利要求书

1.一种场发射阴极电子源，其特征在于，包括：衬底，及设置在所述衬底同一侧的阴极、阴极尖端和栅极；所述阴极、所述阴极尖端和所述栅极均设置在所述衬底的上表面上；所述阴极尖端连接在所述阴极上，所述栅极位于所述阴极尖端远离所述阴极的一侧；所述阴极尖端的电子发射端指向所述衬底的靠近所述栅极的侧面。

2.根据权利要求1所述的场发射阴极电子源，其特征在于，所述栅极数量为2，并且两个所述栅极分别分布在所述阴极尖端的两侧。

3.根据权利要求1所述的场发射阴极电子源，其特征在于，所述阴极尖端的形状为三角状。

4.根据权利要求1所述的场发射阴极电子源，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的上表面上，所述阴极、所述阴极尖端和所述栅极均设置在所述绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的场发射阴极电子源，其特征在于，所述衬底的材料为硅，所述绝缘层为氧化硅。

6.根据权利要求4所述的场发射阴极电子源，其特征在于，所述绝缘层的厚度为大于或等于290nm。

7.根据权利要求1所述的场发射阴极电子源，其特征在于，采用平面工艺制备。

8.一种场发射阴极电子源阵列，其特征在于，包括：多个权利要求1-7任一项所述的场发射阴极电子源，多个所述场发射阴极电子源并列相接连成一排；多个所述阴极尖端朝向相同。

9.根据权利要求8所述的场发射阴极电子源阵列，其特征在于，同一排中，每个所述场发射阴极电子源的阴极均与其相邻的场发射阴极电子源的阴极相连接或不相连接。

10.根据权利要求8所述的场发射阴极电子源阵列，其特征在于，包括多个相互层叠的电子源排，每个所述电子源排为多个所述场发射阴极电子源并列相接连成一排组成。