[发明专利]半导体装置组合件和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811006229.0 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109427755B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩;J·E·明尼克;马朝辉 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 组合 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置组合件,其包括:

衬底,其具有至少一个离散焊料掩模支座,所述至少一个离散焊料掩模支座定位在所述衬底的顶表面上的电迹线上,其中所述至少一个离散焊料掩模支座由非导电材料组成;

半导体装置,其安置在所述衬底上方,所述半导体装置具有从所述半导体装置朝向所述衬底延伸的至少一个柱,且所述至少一个离散焊料掩模支座从所述衬底朝向所述半导体装置延伸;和

其中焊料将所述至少一个柱连接到所述衬底上的迹线,且其中所述至少一个离散焊料掩模支座支撑安置在所述衬底上方的所述半导体装置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述至少一个离散焊料掩模支座具有大致15微米的厚度,所述至少一个离散焊料掩模支座定位在具有大致15微米的厚度的电迹线上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述至少一个离散焊料掩模支座具有细长形状。

4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件,其中所述细长形状的主轴与所述衬底的边缘大体上平行。

5.根据权利要求3所述的半导体装置组合件,其中所述细长形状的主轴相对于所述衬底的边缘大体上处于45度。

6.一种半导体装置组合件,其包括:

衬底,其具有多个离散焊料掩模支座,所述多个离散焊料掩模支座中的每一者定位在所述衬底的顶表面上的相应电迹线上,所述多个离散焊料掩模支座由非导电材料组成;

半导体装置,其邻近于所述衬底定位;和

多个电互连件,其介于所述衬底与所述半导体装置之间;

其中所述多个离散焊料掩模支座从所述衬底延伸且接触所述半导体装置的底表面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述多个离散焊料掩模支座按预定图案布置在所述衬底上。

8.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述多个离散 焊料掩模支座覆盖所述衬底的小于50%的表面。

9.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述离散焊料掩模支座中的每一个具有介于5微米与100微米之间的厚度。

10.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述离散焊料掩模支座的水平横截面形状是多边形形状。

11.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述离散焊料掩模支座的水平横截面形状是圆形或椭圆形形状。

12.一种制造半导体装置组合件的方法,其包括:

在衬底上设置至少一个离散焊料掩模支座,所述至少一个离散焊料掩模支座定位在所述衬底的顶表面上的电迹线上,其中所述至少一个离散焊料掩模支座由非导电材料组成;

使半导体装置邻近于所述衬底定位;

在所述半导体装置与所述衬底之间形成至少一个互连件;和

将所述半导体装置支撑在所述衬底上的所述至少一个离散焊料掩模支座上。

13.根据权利要求12所述的方法,其中形成所述至少一个互连件进一步包括将至少一个柱连接到所述衬底上的至少一个迹线。

14.根据权利要求13所述的方法,其中将所述至少一个柱连接到至少一个迹线进一步包括使用力控制的热压结合进行焊料连接。

15.根据权利要求14所述的方法,其中在所述力控制的热压结合期间,所述半导体装置和所述衬底一起移动,从而使得所述半导体装置接触所述衬底上的所述至少一个离散焊料掩模支座。

16.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括在所述衬底上设置至少一个支腿垫。

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