[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201811006608.X 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109811311B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 泷泽毅;大仓敏和;石井博;诸桥悟;富井广树;柏仓一史 申请(专利权)人: 佳能特机株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/04;C23C14/50;H01L51/56
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 邓宗庆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法 以及 电子器件 制造
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,用于将蒸镀材料经由掩模成膜到基板上,其中,所述成膜装置包括:

磁力施加机构,所述磁力施加机构用于对掩模施加磁力;

测定机构,所述测定机构用于测定基于所述磁力施加机构的所述掩模和所述基板之间的距离;以及

控制部,所述控制部用于基于利用所述测定机构测出的所述距离来控制所述磁力施加机构,

在利用所述测定机构测出的所述距离比预先确定的基准值大的情况下,所述控制部不进行所述基板与所述掩模的对准,对所述磁力施加机构进行控制以便在减弱所述磁力施加机构对所述掩模施加的磁力后,使所述磁力施加机构对所述掩模再次施加磁力。

2.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在减弱所述磁力施加机构对所述掩模施加的磁力后,使所述磁力施加机构从所述掩模的一端对所述掩模再次施加磁力。

3.如权利要求2所述的成膜装置,其中,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述磁力施加机构从所述掩模离开地上升后,在使所述磁力施加机构倾斜的状态下使所述磁力施加机构向掩模侧下降。

4.如权利要求2或3所述的成膜装置,其中,

所述磁力施加机构包括配置在平面上的多个电磁铁模块,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述多个电磁铁模块的电源全都断开后,从在与所述掩模的相向的两边中的一条边对应的位置配置的电磁铁模块朝向在与另一条边对应的位置配置的电磁铁模块依次使电磁铁模块的电源接通。

5.如权利要求2或3所述的成膜装置,其中,

所述磁力施加机构包括能够单独升降的多个磁铁模块,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述多个磁铁模块全部从掩模离开地上升后,从在与所述掩模的相向的两边中的一条边对应的位置配置的磁铁模块朝向在与另一条边对应的位置配置的磁铁模块依次使磁铁模块向掩模侧下降。

6.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在减弱所述磁力施加机构的磁力后,使所述磁力施加机构从所述掩模的中央部对所述掩模再次施加磁力。

7.如权利要求6所述的成膜装置,其中,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述磁力施加机构从掩模离开地上升后,在所述磁力施加机构形成V字形的状态下使所述磁力施加机构向所述掩模侧下降,接着使所述磁力施加机构恢复到平面。

8.如权利要求6或7所述的成膜装置,其中,

所述磁力施加机构包括配置在平面上的多个电磁铁模块,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述多个电磁铁模块的电源全都断开后,从与所述掩模的中央部对应地配置的电磁铁模块到与所述掩模的相向的两边对应地配置的电磁铁模块使电磁铁模块的电源依次接通。

9.如权利要求6或7所述的成膜装置,其中,

所述磁力施加机构包括能够单独升降的多个磁铁模块,

在利用所述测定机构测出的所述距离比所述基准值大的情况下,所述控制部对所述磁力施加机构进行控制以便在使所述多个磁铁模块全部从掩模离开地上升后,从与所述掩模的中央部对应地配置的磁铁模块到与所述掩模的相向的两边对应地配置的磁铁模块使磁铁模块依次下降。

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