[发明专利]图像传感器及其形成方法、成像设备有效
申请号: | 201811006618.3 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109148502B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 黄增智;龙海凤;倪凌云;李天慧;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宿小猛 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 成像 设备 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底中形成有感光元件区域;以及
在所述感光元件区域的周围区域形成的第一聚光部,
其中,所述第一聚光部具有斜面使得要进入所述感光元件区域的周围区域的光通过所述斜面向所述感光元件区域折射,
其中,所述第一聚光部与所述周围区域在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合,并且
其中,所述第一聚光部的斜面向下且向外倾斜,所述斜面的底边位于所述周围区域,以及所述斜面的顶边或顶点位于所述感光元件区域的边界、或者位于所述感光元件区域的边界的上方、或者位于所述感光元件区域的上方。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,
所述第一聚光部被形成在所述衬底中,并且所述第一聚光部的折射率小于所述衬底的与其接触的部分的折射率。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述斜面与所述衬底的表面的夹角小于感光元件区域的对角线与所述衬底的表面的垂直方向的夹角。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
在所述周围区域中形成的沟槽隔离部,
其中所述第一聚光部和所述沟槽隔离部形成用于所述图像传感器的组合隔离结构。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括
滤色层,所述滤色层位于所述感光元件区域上方,并且覆盖所述感光元件区域和所述第一聚光部,和/或
所述滤色层的折射率大于或者等于所述第一聚光部的折射率。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
第二聚光部,所述第二聚光部位于所述感光元件区域上方,并且所述第二聚光部具有斜面,所述第二聚光部的斜面被构造为使得入射到所述第二聚光部的斜面的光从所述第二聚光部的斜面向所述感光元件区域的方向折射。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,
所述第二聚光部与所述感光元件区域和所述周围区域在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合,并且
其中,所述第二聚光部的斜面在垂直于所述主表面的方向的投影中至少部分地覆盖所述周围区域。
8.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,所述第二聚光部在所述衬底上形成,并且所述第二聚光部的折射率大于或等于所述衬底的与其接触的部分的折射率。
9.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,在所述第二聚光部上形成具有滤色功能的填充层,所述填充层覆盖所述第二聚光部的表面,
其中,所述填充层的折射率小于所述第二聚光部的折射率。
10.一种形成图像传感器的方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底中形成有感光元件区域;以及
在所述感光元件区域的周围区域形成第一聚光部,
其中,所述第一聚光部被形成有斜面使得要进入所述感光元件区域的周围区域的光通过所述斜面向所述感光元件区域折射,
其中,所述第一聚光部与所述周围区域在与所述衬底的主表面平行的平面图中重合,并且
其中,所述第一聚光部的斜面向下且向外倾斜,所述斜面的底边位于所述周围区域,以及所述斜面的顶边或顶点位于所述感光元件区域的边界、或者位于所述感光元件区域的边界的上方、或者位于所述感光元件区域的上方。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述第一聚光部被形成在所述衬底中,并且所述第一聚光部的折射率小于所述衬底的与其接触的部分的折射率。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述斜面与所述衬底的表面的夹角小于感光元件区域的对角线与所述衬底的表面的垂直方向的夹角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的