[发明专利]通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法在审
申请号: | 201811007044.1 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109244099A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 王小东;汪朝敏;白雪平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 叠层 管壳 红外谱段 片粘接 减薄 粘接 封装 绝缘介质材料 设计技术领域 背面减薄 两端接入 量子效率 直接封装 下表面 透光 多片 引脚 制作 背面 驱动 应用 | ||
本发明提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法,属于CCD器件设计技术领域。本发明包括以下步骤:S1、将普通CCD器件进行背面减薄;S2、将两片减薄后的CCD器件背面分别粘接在透光绝缘介质材料的上、下表面,得到至少一组两片粘接的CCD器件单元;S3、将粘接的CCD器件封装在专用管壳中,即对于一组两片粘接的CCD器件单元直接封装在专用管壳中;对于多组两片粘接的CCD器件单元,将它们粘接成整体后再封装在专用管壳中;S4、在专用管壳两端接入系列引脚进行驱动。通过对常规CCD器件进行减薄并叠层,2片/多片减薄后的CCD器件叠层应用,可以增强900nm~1000nm近红外谱段的量子效率。
技术领域
本发明涉及CCD器件设计技术领域,尤其涉及通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法。
背景技术
电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)是一种微型图像传感器,本身兼具光电转换功能和信号的存储、转移、转换等功能,可以将空间域内分布的图像,转换成为按时间域离散分布的电信号。具有灵敏度高、光谱响应宽、动态范围大、像元尺寸小、几何精度高、成像质量好、抗震动、抗辐射等优点。
可见光面阵CCD作为一种高灵敏度光电传感器,在工业检测和安全检验领域中的光谱测绘、图形扫描、快速扫描成像、定标测量等系统有广泛应用,可见光面阵CCD具有很宽的光谱探测范围,但近红外谱段响应普遍较低。
发明内容
有鉴于此,为了提高近红外光谱段响应,本发明提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法。
本发明首先提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件,包括至少一组两片粘接的CCD器件单元;所述两片粘接的CCD器件单元包括两片刻蚀去除衬底层的普通CCD器件和透光绝缘介质材料,即从上到下依次为硅片外膜层、硅片外延层、透光绝缘介质材料、硅片外延层和硅片外膜层。
进一步的,当两片粘接的CCD器件单元为多组时,两片粘接的CCD器件单元两两依次粘接形成一个整体。
进一步的,所述硅片外膜层从上至下依次包括SiO2材料的表层、Si3N4材料的中间层以及SiO2材料的栅氧层。
进一步的,所述硅片外延层包括光敏区二极管以及位于光敏区二极管两边的沟阻。
进一步的,所述硅片外膜层厚度为180~220μm。
进一步的,所述硅片外延层厚度为10μm。
进一步的,所述透光绝缘介质材料的厚度为10~100μm。
本发明还提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件的制作方法,采用普通CCD器件,所述普通CCD器件从上到下依次包括硅片外膜层、硅片外延层及硅片衬底层,包括以下步骤:
S1、将普通CCD器件进行背面减薄,即将硅衬底层全部刻蚀掉;
S2、将两片减薄后的CCD器件背面分别粘接在透光绝缘介质材料的上、下表面,按照前述方法实施一次或多次,得到至少一组两片粘接的CCD器件单元;
S3、将粘接的CCD器件封装在专用管壳中,即对于一组两片粘接的CCD器件单元直接封装在专用管壳中;对于多组两片粘接的CCD器件单元,将它们粘接成一个整体后再封装在专用管壳中;
S4、在专用管壳两端接入系列引脚进行驱动。
进一步的,所述专用管壳包括光窗、键合线和外壳,所述外壳上表面中间部分向下凹陷形成凹槽,凹槽的两端设置有键合线,粘接的CCD器件两端与键合线接触,设置在两个键合线之间,所述光窗设置在外壳的上表面。
进一步的,所述专用管壳两端设置有引脚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的