[发明专利]改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器有效

专利信息
申请号: 201811007195.7 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109425766B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: D·T·特里方诺夫 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: G01R1/28 分类号: G01R1/28
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐东升;王爽
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 改进 绝对温度 互补 ctat 电压 发生器
【说明书】:

发明公开改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器。本发明实施例涉及包含第一电路分支(310)、第二电路分支(320)和积分器电路(330)的电路(300)。第一分支包含第一晶体管(T31)和第一电流源(I31)以产生包含对应第一晶体管(T31)的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第一CTAT电压信号(V31)。第二分支包含第二晶体管(T32)和第二电流源(I32)以产生包含对应第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第二CTAT电压信号(V32)。第一(310)和第二(320)电路分支耦合到积分器电路(330),使积分器电路(330)对第一CTAT电压信号(V31)与第二CTAT电压信号(V32)之间的差进行积分,使得积分信号不包含对应寄生基极电阻和寄生发射极电阻的任何分量。

技术领域

本发明涉及电压参考电路,并且具体涉及改进绝对温度互补型(CTAT)电压的精度。

背景技术

绝对温度互补型(CTAT)(complementary to absolute temperature)电压广泛地用于带隙参考点、温度传感器以及偏差发生器的构造。虽然可以例如使用互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、结型场效应晶体管(JFET)以及二极管的许多方式得到CTAT电压,但通常使用双极结型晶体管(BJT或双极性晶体管)产生精确且可重复的CTAT电压。使用BJT通过在二极管连接的工作模式中配置BJT并产生基极-发射极结两端的电压来生成CTAT电压。基极-发射极电压包括不呈现出CTAT特性并且因此为CTAT电压的缺陷的各种分量。缺陷中的一些可通过修整或校准技术来解决。但此类技术对于嵌入在BJT内的例如寄生基极电阻和寄生发射极电阻的缺陷并不有效。

发明内容

附图说明

现将通过仅示例并参考附图来描述根据本发明的特定实施方案:

图1为常规的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器电路的框图。

图2为根据一个实施例的改进的CTAT电压发生器电路的框图。

图3为根据一个实施例的工作在采样模式中的单端CTAT电压发生器电路的框图。

图4为根据一个实施例的工作在积分模式中的图3的单端CTAT电压发生器电路的框图。

图5为根据一个实施例的工作在采样模式中的差分CTAT电压发生器电路的框图。

图6为根据一个实施例的工作在积分模式中的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。

图7为根据一个实施例的具有附加开关的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。

当前实施例的其它特征根据附图并且根据以下的具体实施方式将是显而易见的。

具体实施方式

本发明的实施例涉及一种产生CTAT电压信号的电路,该CTAT电压信号不包含对应于电路的BJT的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。电路包含第一电路分支、第二电路分支以及积分器电路。第一分支包含第一晶体管和第一电流源并且产生第一CTAT电压信号,该第一CTAT电压信号包含对应于第一晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。第二分支包含第二晶体管和第二电流源并且产生第二CTAT电压信号,该第二CTAT电压信号包含对应于第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量。第一晶体管和第二晶体管被选定为具有相同尺寸,使得寄生基极电阻和寄生发射极电阻在晶体管之间也相同。选择第一电流源和第二电流源使得两个源中的一个提供为另一源的两倍的电流。第一电路分支和第二电路分支耦合到积分器电路,使得积分器电路对第一CTAT电压信号与第二CTAT电压信号之间的差进行积分,使得积分信号不包含对应于寄生基极电阻和寄生发射极电阻的任何分量。

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