[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201811007253.6 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109244110A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 赵瑾荣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 像素限定层 多个器件 发光有机层 第二电极 显示面板 第一基板 主动层 金属氧化物 折射率分布 制造 | ||
一种显示面板及其制造方法,所述显示面板包含:第一基板、多个器件层、第一电极层、发光有机层、像素限定层及第二电极层。所述多个器件层设在所述第一基板上,其中所述多个器件层包含主动层,所述主动层的材质包含金属氧化物。所述第一电极层设在所述多个器件层上。所述像素限定层设在所述第一电极层的一部分上。所述发光有机层设在所述第一电极层的另一部分上。所述第二电极层设在所述发光有机层与所述像素限定层上,其中所述像素限定层沿着所述第一电极层朝向所述第二电极层的方向上的折射率分布是由小至大。
技术领域
本发明是有关于一种面板及其制造方法,特别是有关于一种显示面板及其制造方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic electroluminescent Device)相对于LCD(LiquidCrystal Display;液晶显示器)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点被认为是下一代显示技术。以非晶氧化物半导体(Amorphous Oxide Semiconductor,AOS)薄膜作为主动层(或称有源层)材料的非晶氧化物薄膜晶体管具有优良的特性,例如场效应迁移率大、亚阈值摆幅小、大面积均匀性好、可低温制备、对可见光透明和工艺流程简单等诸多优点。
然而,在底发射型有机电致发光器件中,作为主动层材料的金属氧化物对于光稳定性不佳(例如可见光等的短波长光),因此当有机发光层进行电致发光时产生的光线直接辐照或反射至薄膜晶体管的主动层上时,薄膜晶体管会产生例如显著的阈值电压的漂移、开关比变小以及漏电流增大的不良影响。
故,有必要提供一种显示面板及其制造方法,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示面板及其制造方法,以解决现有技术所存在的薄膜晶体管的主动层被光线照射进而导致薄膜晶体管产生显著的阈值电压的漂移、开关比变小以及漏电流增大的不良影响的问题。
本发明的一目的在于提供一种显示面板及其制造方法,其中像素限定层沿着所述第一电极层朝向所述第二电极层的一方向上的一折射率分布是由小至大,因此可将光线偏折远离薄膜晶体管的主动层,以避免或减少所述薄膜晶体管受到光线的照射而产生上述的不良影响。
为达成本发明的前述目的,本发明一实施例提供一种显示面板,其中所述显示面板包含:一第一基板、多个器件层、一第一电极层、一发光有机层、一像素限定层及一第二电极层。所述多个器件层设在所述第一基板上,其中所述多个器件层包含一主动层,所述主动层的材质包含一金属氧化物。所述第一电极层设在所述多个器件层上。所述像素限定层设在所述第一电极层的一部分上。所述发光有机层设在所述第一电极层的另一部分上。所述第二电极层设在所述发光有机层与所述像素限定层上,其中所述像素限定层沿着所述第一电极层朝向所述第二电极层的一方向上的一折射率分布是由小至大。
在本发明的一实施例中,所述像素限定层包含:一第一树脂材料及一第二树脂材料。所述第一树脂材料包含多个感光单基团,其中所述第一树脂材料邻近所述第一电极层。所述第二树脂材料包含多个感光多基团,其中所述第二树脂材料邻近所述第二电极层。
在本发明的一实施例中,所述像素限定层包含一吸光材料,所述吸光材料均匀分散在所述像素限定层中。
在本发明的一实施例中,所述多个器件层更包含:一缓冲层、一栅极、一栅极绝缘层、一源极与一漏极、一钝化层、一彩色滤光片及一平坦层。所述缓冲层设在所述第一基板上。所述栅极设在所述缓冲层上。所述栅极绝缘层设在所述栅极及所述缓冲层上。所述源极与所述漏极设在所述栅极绝缘层上以及所述主动层设在所述源极与所述漏极之间。所述钝化层设在所述栅极绝缘层、所述源极与所述漏极上。所述彩色滤光片设在所述钝化层上。所述平坦层设在所述钝化层与所述彩色滤光片上,其中所述第一电极层设在所述平坦层上,并且所述第一电极层的一部分贯穿所述平坦层与所述钝化层,以电性连接所述漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的