[发明专利]位线逻辑电路、存储器电路及其位线偏置方法有效
| 申请号： | 201811007574.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110322917B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吴尚锜;郑基廷;张琮永;林洋绪;马合木提·斯楠吉尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逻辑电路 存储器 电路 及其 偏置 方法 | ||
1.一种存储器电路，包括：
参考电压节点，被配置为输送参考电压；
多个存储器单元；
位线，与所述多个存储器单元耦合；以及
开关电路，耦合在所述参考电压节点与所述位线之间，所述开关电路包括开关器件并且配置为
接收所述位线上的电压电平；和
当所述位线上的所述电压电平与所述参考电压节点上的电压电平之间的差值小于阈值时，通过导通所述开关器件，将所述参考电压节点与所述位线耦合；
互补位线，对应于所述多个存储器单元；以及
互补开关电路，耦合在所述参考电压节点和所述互补位线之间；
其中，所述开关电路和所述互补开关电路共用与电源节点耦合的PMOS晶体管，所述电源节点配置为输送电源电压，
其中，所述互补开关电路配置为当所述PMOS晶体管导通时，响应于所述互补位线上的互补电压电平，将所述参考电压节点与所述互补位线耦合。
2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述阈值对应于所述开关电路中晶体管的阈值电压。
3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述开关电路包括逻辑电路，所述逻辑电路，包括：
第一输入端子，与所述位线耦合；以及
输出端子；以及
所述开关器件包括晶体管，所述晶体管耦合在所述参考电压节点和所述位线之间，所述晶体管包括与所述逻辑电路的所述输出端子耦合的栅极端子。
4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，
所述晶体管是NMOS晶体管。
5.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，所述逻辑电路包括反相器。
6.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，
所述逻辑电路还包括：配置为接收使能信号的第二输入端子，其中，所述第二输入端子连接至所述PMOS晶体管的栅极端子，以及
所述开关电路配置为进一步响应于所述使能信号将所述参考电压节点与所述位线耦合。
7.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述互补开关电路包括逻辑电路，所述逻辑电路，包括：
第一输入端子，与所述互补位线耦合；以及
输出端子。
8.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述PMOS晶体管被配置为响应使能信号，选择性地将所述电源节点与被所述开关电路和所述互补开关电路共用的共用节点耦合。
9.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，
所述PMOS晶体管耦合在所述电源节点与被所述开关电路和所述互补开关电路共用的共用节点之间。
10.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：写入电路，与所述位线耦合，所述写入电路配置为生成所述位线上的电压电平。
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