[发明专利]接触结构上的自对准金属线及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

一第一接触结构，其位于一衬底上方的一第一介电层中；以及

一第二接触结构，其位于该第一介电层中，该第二接触结构通过该第一介电层与该第一接触结构横向分离，

其中，该第一接触结构的一垂直的截面几何形状包括该第一接触结构的一最底部表面宽于该第一接触结构的一最顶部表面的一梯形，该第一接触结构还包括一顶部水平截面几何形状是基本方形的，且其中该第二接触结构的一垂直的截面几何形状包括一平行四边形，且该第二接触结构还包括一顶部水平截面几何形状包括至少一平边及仅一圆边。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构进一步包括：

一第二介电层，其位于该第一介电层以及该第一接触结构的上方；以及

一金属线，其位于该第二介电层中，其中，该金属线的一表面接触该第一接触结构的该最顶部表面。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，该金属线的一最底部表面完全接触该第一接触结构的该最顶部表面。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一接触结构的该最底部表面接触该衬底上方的一源漏区域以及位于该衬底上方的该源漏区域上的一沟槽硅化物结构中的一者。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一接触结构包括沿含有一非金属材料的该第一接触的至少一侧壁的一第一部分，以及含有一导电材料的一第二部分。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其特征在于，该第二部分的一垂直的截面几何形状包括一梯形，其中，该第二部分的一最顶部表面宽于该第二部分的一最底部表面。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一介电层包括其中的一气隙，该气隙位于邻接该第一接触结构。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一接触结构电性连接位于该衬底中的一绝缘区域上的一栅极。

9.一种形成集成电路结构的方法，其特征在于，该方法包括：

形成一初始接触结构于一衬底上方的一第一介电层中；

形成一图案化掩膜于该初始接触结构上以及该第一介电层上，其中，该图案化掩膜包括暴露该初始接触结构的一部分的一第一开口；

使用该图案化掩膜形成通过位于由该第一开口所暴露的该初始接触结构的该部分处的该初始接触结构的一第二开口；

形成一第二介电层于该第一开口以及该第二开口中；

移除该图案化掩膜以暴露该初始接触结构的一剩余部分；以及

形成一金属线于该初始接触结构的该剩余部分上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该金属线的一最底部表面完全接触该初始接触结构的该剩余部分的一最顶部表面。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成通过该初始接触结构的该第二开口之后，该第二开口横向隔离该接触结构的一第一部分以及该接触结构的一第二部分以形成一对接触结构。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该第二介电层包括形成一气隙于该第二介电层中，该气隙位于邻接该初始接触结构的该剩余部分。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该初始接触结构与位于该衬底上的一鳍片的一源或漏区域电性连接。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成该初始接触结构于该第一介电层中包括形成该初始接触结构以接触位于该衬底上的该鳍片的该源或漏区域上的一沟槽硅化物区域的一最顶部表面。