[发明专利]集成电路器件及制造其的方法

说明书

一种集成电路器件包括：导电线结构，其包括导电线和绝缘盖图案；以及包括内间隔物和第一绝缘间隔物的绝缘间隔物，内间隔物和第一绝缘间隔物在导电线结构的侧壁上。第一绝缘间隔物包括：狭缝部分；下绝缘部分，其与内间隔物间隔开，使得下绝缘部分的一部分与内间隔物之间的分隔距离随着离衬底的垂直距离增加而减小；以及接触内间隔物的上绝缘部分。一种形成绝缘间隔物的方法包括：在内间隔物上形成聚合物层；形成接触内间隔物和聚合物层中的每个的第一绝缘间隔物层；以及通过部分地去除第一绝缘间隔物层形成第一绝缘间隔物。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件及制造其的方法，并且更具体地，涉及包括彼此相邻的多个导电图案的集成电路器件及制造其的方法。

背景技术

由于电子技术的发展，近年来半导体器件已经迅速按比例缩小，并且在高度地按比例缩小的半导体器件中多个布线与布置在其间的多个接触插塞之间的分隔距离已经逐渐减小。因此，彼此相邻的导电图案之间的负载电容已经增加，从而不利地影响半导体器件的操作速度和/或刷新特性。

发明内容

本发明构思提供具有能够最小化由于高度集成导致的单位单元中多个导电图案之间的负载电容的结构的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。

根据本发明构思的一方面，提供了一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在导电线上的绝缘盖图案，导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；以及绝缘间隔物，其包括内间隔物和在内间隔物上的第一绝缘间隔物，内间隔物接触导电线结构的侧壁，并且第一绝缘间隔物在导电线结构的侧壁上，其中第一绝缘间隔物包括：在衬底上在第一水平方向上延伸的狭缝部分；下绝缘部分，其在衬底与狭缝部分之间在第一水平方向上延伸并且与内间隔物间隔开，使得下绝缘部分的一部分与内间隔物之间的分隔距离随着离衬底的垂直距离增加而减小；以及上绝缘部分，其接触内间隔物并且与下绝缘部分间隔开，并且狭缝部分在其间。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种集成电路器件，包括：一对导电线结构，其包括一对导电线和在所述一对导电线上的一对绝缘盖图案，所述一对导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；多个接触结构，其在所述一对导电线结构之间布置成一条线；以及布置在所述一对导电线结构与所述多个接触结构之间的多个绝缘间隔物，其中所述多个绝缘间隔物中的每个包括：接触每个导电线结构的侧壁的内间隔物；在第一水平方向上延伸的狭缝部分；绝缘袋部分，其在衬底与所述狭缝部分之间在第一水平方向上延伸并且与内间隔物间隔开使得下绝缘部分的一部分与内间隔物之间的分隔距离随着离衬底的垂直距离增加而减小；以及上绝缘部分，其接触内间隔物并且与下绝缘部分间隔开，其间具有狭缝部分。

根据本发明构思的又一方面，提供了一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：在衬底上形成导电线结构，导电线结构包括导电线和在导电线上的绝缘盖图案；在导电线结构的侧壁上形成内间隔物；在内间隔物上形成聚合物层，聚合物层具有比内间隔物更小的高度，并且在导电线结构的侧壁上，其中内间隔物插置在导电线结构与聚合物层之间；在导电线结构的侧壁上形成接触聚合物层和内间隔物中的每个的第一绝缘间隔物层；以及通过部分地去除第一绝缘间隔物层形成第一绝缘间隔物，第一绝缘间隔物具有暴露聚合物层的狭缝部分。

根据本发明构思的又一方面，提供了一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在导电线上的绝缘盖图案，导电线在衬底上在第一方向上延伸；在导电线结构的侧壁上的内间隔物；以及在内间隔物上的第一绝缘间隔物。第一绝缘间隔物可以包括：下绝缘部分，其邻近导电线在第一方向上延伸；以及上绝缘部分，其邻近绝缘盖图案在第一方向上延伸。下绝缘部分可以与上绝缘部分分隔开一间隙，并且下绝缘部分的上部与内间隔物之间的第一距离可以小于下绝缘部分的下部与内间隔物之间的第二距离。