[发明专利]一种DRAM PUF测试系统及其DRAM PUF提取方法有效

专利信息
申请号: 201811009811.2 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109299622B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 李冰;徐叶菡;熊琅钰;陈帅;董乾;刘勇;张林;王亚洲;沈克强;王刚;赵霞 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G06F21/73 分类号: G06F21/73
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱桢荣
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 dram puf 测试 系统 及其 提取 方法
【权利要求书】:

1.一种基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统的DRAM PUF提取方法,其特征在于,基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统包括DRAM、CPU端和GPU端,CPU端包括UART数据获取模块和Mailbox数据发送模块,GPU端包括Mailbox数据接收模块、DRAM初始化模块、DRAM刷新控制模块、CPU代码手动刷新模块和DRAM内容读取模块;其中,

DRAM初始化模块,用于在启动阶段以及运行阶段对指定待测试DRAM区域进行初始化操作,将全0或全1写入待测试DRAM区域;

DRAM刷新控制模块,用于控制全部DRAM区域的刷新频率,通过对DRAM刷新控制模块中的DRAM控制寄存器写入刷新控制字来实现启用或禁止全部DRAM区域的刷新;

UART数据获取模块,用于接收用户输入的测试参数并输出至Mailbox数据发送模块,测试参数包括待测试DRAM区域、DRAM初始值和延时时长;

Mailbox数据发送模块,用于在CPU端利用Mailbox发送测试参数给GPU端,并通知GPU端开始PUF测试;

Mailbox数据接收模块,用于在GPU端利用Mailbox接收CPU端发送的测试参数,并将待测试DRAM区域和DRAM初始值传递至DRAM初始化模块,延时时长传递至DRAM刷新控制模块,待测试DRAM区域传递至DRAM内容读取模块;

CPU代码手动刷新模块,用于在DRAM停止刷新并延时等待期间刷新CPU代码存储区域;

DRAM内容读取模块,用于在延时等待完毕,DRAM刷新控制模块恢复DRAM刷新后,读取待测试DRAM区域的全部存储内容,并通过串口输出;

DRAM PUF提取方法包括启动阶段和运行阶段,具体如下:

启动阶段:

步骤(1)、初始化待测DRAM区域,写入初始值全0或全1;

步骤(2)、对DRAM刷新控制模块中的DRAM控制寄存器写入停止刷新控制字;

步骤(3)、调用延时函数进行延时,延时期间保持DRAM暂停自动刷新,并等待延时结束;

步骤(4)、对DRAM刷新控制模块中的DRAM控制寄存器写入恢复刷新控制字;

步骤(5)、顺序读取待测试DRAM区域存储值,由串口打印并存储,记录该存储值与步骤(1)中的初始值相比所产生的位翻转,即为该DRAM区域产生的DRAM PUF,由串口打印数据;

运行阶段:

步骤A、加载kernel后,CPU端通过UART数据获取模块输入的PUF测试参数,PUF测试参数包括待测试DRAM区域、DRAM初始值和延时时长,并分别将这些测试参数通过mailbox发送给GPU端;

步骤B、GPU端通过mailbox接收CPU端发来的全部参数,对用户指定的待测试DRAM区域写入指定初始值全0或全1,再对DRAM刷新控制模块中的DRAM控制寄存器写入停止刷新控制字;

步骤C、在GPU端中调用延时函数进行延时,延时时间为用户输入的禁止刷新时长值,延时期间保持DRAM中有CPU运行代码存储的区域进行手动刷新,待测试DRAM区域则保持DRAM暂停自动刷新,等待延时结束;

步骤D、在GPU端中对DRAM刷新控制模块中的DRAM控制寄存器写入恢复刷新控制字;

步骤 E、顺序读取待测DRAM区域存储值,由串口打印并存储,记录该存储值与步骤A中的DRAM初始值相比所产生的位翻转,即为该DRAM区域产生的DRAM PUF,由串口打印数据。

2.根据权利要求1所述的一种基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统的DRAM PUF提取方法,其特征在于,CPU代码手动刷新模块以64ms/次的刷新频率。

3.根据权利要求1所述的一种基于Raspberry Pi B+的DRAM PUF测试系统的DRAM PUF提取方法,其特征在于,在DRAM禁止刷新的延时期间,CPU端和GPU端均工作,将代码占用的DRAM地址段预先写入手动刷新列表,在延时期间保证代码存储区刷新即可。

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