[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201811009989.7 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109273493B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 狄沐昕;刘英伟;梁志伟;李海旭;曹占锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。OLED显示基板,包括位于衬底基板上的OLED发光单元和驱动所述OLED发光单元发光的驱动薄膜晶体管,所述OLED显示基板还包括:位于所述衬底基板和所述OLED发光单元之间的光敏薄膜晶体管,所述光敏薄膜晶体管能够检测所述OLED发光单元发出的光并产生电信号,所述光敏薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。本发明的技术方案能够简化OLED显示基板制程的复杂性,降低OLED显示基板的生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管)显示产品经过长时间的发展已经日趋成熟,逐步在终端产品中现身。OLED显示器件的发光原理为:电子和空穴分别从阴极和阳极注入,当电子与空穴在有机发光层中的某个分子上下相遇后,由于库伦作用,两者就会束缚在一起,形成激子,激子在有机发光层扩散和漂移到合适的位置后,会发生复合。由于激子本身是激发态,复合时会释放能量,其中以辐射形式释放的部分就是发光。但是由于工艺制程的限制,OLED显示器件不同像素的阳极电阻、发光层厚度等会存在差异,导致发光层的亮度不够均匀,这限制了OLED显示技术的发展。随着市场对大尺寸OLED显示屏需求的增加,OLED均匀发光问题变得尤为突出。
目前OLED显示产品的一种补偿方法为光学补偿方法,在底发射OLED显示产品的发光层和衬底基板之间设置有光敏传感器,光敏传感器能够感受发光层发光的强弱,并将检测到的光信号反馈给OLED显示产品的驱动电路实现相应的光学补偿,但此种OLED显示产品结构中,需要通过专门的工艺来制作光敏传感器,增加了OLED显示产品的制作工艺的复杂性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够简化OLED显示基板制程的复杂性,降低OLED显示基板的生产成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种OLED显示基板,包括位于衬底基板上的OLED发光单元和驱动所述OLED发光单元发光的驱动薄膜晶体管,所述OLED显示基板还包括:
位于所述衬底基板和所述OLED发光单元之间的光敏薄膜晶体管,所述光敏薄膜晶体管能够检测所述OLED发光单元发出的光并产生电信号,所述光敏薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。
进一步地,所述光敏薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的第一遮光图形同层同材料设置,所述第一遮光图形位于所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间;和/或
所述光敏薄膜晶体管的有源层与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层同材料设置;和/或
所述光敏薄膜晶体管的源极、漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极同层同材料设置。
进一步地,所述OLED显示基板还包括:
位于所述驱动薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧的第二遮光图形,所述驱动薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。
进一步地,所述OLED显示基板还包括:
用于将所述光敏薄膜晶体管产生的电信号传递给驱动电路的检测信号线;
控制所述光敏薄膜晶体管的输出端与所述检测信号线之间导通状态的开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的