[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体层；

第一导电层；

隧穿绝缘膜，其设置于所述半导体层与所述第一导电层之间；以及

电荷捕获薄膜，其设置于所述第一导电层与所述隧穿绝缘膜之间，所述电荷捕获薄膜包含第一分离层、第一捕获层和第二捕获层，所述第一捕获层定位于所述隧穿绝缘膜与所述第一分离层之间，所述第二捕获层定位于所述第一导电层与所述第一分离层之间，所述第一捕获层中的电荷捕获效率高于所述第二捕获层中的电荷捕获效率。

2.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一捕获层包含硅、氮和添加剂，

所述第二捕获层包含硅和氮，且

所述添加剂是选自由以下各项组成的群组的至少一个：碳、铝、铪、锌和钛。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一捕获层包含金属化合物。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述金属化合物是选自由以下各项组成的群组的至少一个：金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一分离层的带隙比所述第一捕获层和所述第二捕获层的带隙更宽。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一分离层包含硅和氧。

7.根据权利要求1所述的装置，其中

所述电荷捕获薄膜进一步包含：

第二分离层，其定位于所述第一分离层与所述第二捕获层之间；以及

第三捕获层，其定位于所述第一分离层与所述第二分离层之间，且

所述第一捕获层中的所述电荷捕获效率高于所述第三捕获层中的电荷捕获效率。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二分离层包含硅和氧。

9.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

第二导电层；以及

绝缘层，其设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，

所述半导体层、所述隧穿绝缘膜和所述电荷捕获薄膜各自沿着第一方向延伸，

所述第一导电层、所述绝缘层和所述第二导电层在所述第一方向上布置。

10.一种半导体装置，其包括：

半导体层；

第一导电层；

隧穿绝缘膜，其设置于所述半导体层与所述第一导电层之间；以及

电荷捕获薄膜，其设置于所述第一导电层与所述隧穿绝缘膜之间，所述电荷捕获薄膜包含第一分离层、第一捕获层和第二捕获层，所述第一捕获层包含硅和氮并定位于所述隧穿绝缘膜与所述第一分离层之间，所述第二捕获层包含硅和氮并定位于所述第一导电层与所述第一分离层之间，

所述第一捕获层中的所述硅与所述氮的比的值Si:N高于所述第二捕获层中的值。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一捕获层中的所述硅与所述氮的所述比的所述值Si:N介于不小于0.77且不大于0.9的范围内。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述硅与所述氮的所述比的所述值Si:N的峰值在所述第一捕获层和所述第二捕获层中均超出0.75。

13.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一分离层的带隙比所述第一捕获层和所述第二捕获层的带隙更宽。

14.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一分离层包含硅和氧。