[发明专利]多晶硅熔丝结构的制造方法

说明书

本发明提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件领域，尤指涉及一种多晶硅熔丝结构的制造方法。

背景技术

常规的多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的熔丝结构。该方法形成的熔丝结构，首先，不利于控制熔断的具体位置，可能会导致在衬底上的熔断，由于过热会影响衬底上其他器件的正常工作；其次，熔丝占用的衬底表面积较大，不利于高密度化的器件集成，且多个平行的熔丝间的电容电感较大，容易互相串扰。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：

提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；

在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；

在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；

在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；

在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。

根据本发明的实施例，形成所述隔离材料层包括覆盖所述第一水平部分以及所述两个第一垂直部分的一部分。

根据本发明的实施例，还包括在所述隔离材料层上形成另一可编程熔丝，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

根据本发明的实施例，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。

根据本发明的实施例，还包括在所述凹槽中进一步沉积所述隔离结构，以完全填充满所述凹槽。

根据本发明的实施例，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。

根据本发明的实施例，所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度相同。

根据本发明的实施例，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

根据本发明的实施例，所述熔丝结构的材料为多晶硅。