[发明专利]一种一体化刻蚀方法

权利要求书

1.一种一体化刻蚀方法，其特征在于，所述一体化刻蚀方法包括：

根据一体化刻蚀的基础刻蚀参数，在多个刻蚀时间下对测试晶圆的介质层进行刻蚀，量测在各所述刻蚀时间下介质层被刻蚀的厚度；

根据各所述刻蚀时间以及对应的各所述厚度建立一体化刻蚀程式并输入到先进工艺控制系统中；

量测待加工晶圆的介质层的厚度以获取厚度值，所述先进工艺控制系统采集所述厚度值并根据所述厚度值以及所述一体化刻蚀程式对所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数进行修正以得到一体化刻蚀的校准刻蚀参数；

根据所述一体化刻蚀的校准刻蚀参数对所述待加工晶圆进行刻蚀；

其中，所述一体化刻蚀包括：第一步骤，对抗反射层进行刻蚀；第二步骤，对部分介质层进行刻蚀；以及，第三步骤，对剩余的介质层和金属层同时进行刻蚀；所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数包括：刻蚀速率、第一步骤的刻蚀时间、第二步骤的刻蚀时间以及第三步骤的刻蚀时间；

对所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数进行修正包括：

设定第二步骤中介质层需被保留的厚度，将采集的所述厚度值与所述需被保留的厚度相减得到第二步骤中介质层实际需被刻蚀的厚度；

将第二步骤中所述实际需被刻蚀的厚度代入所述一体化刻蚀程式，得到第二步骤的实际刻蚀时间；

用所述第二步骤的实际刻蚀时间替代一体化刻蚀的基础刻蚀参数中所述第二步骤的刻蚀时间以修正所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数。

2.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述第一步骤、所述第二步骤以及所述第三步骤的所述刻蚀速率均相同。

3.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述一体化刻蚀程式为：y＝35.7x+2.3518，其中，x表示所述第二步骤的实际刻蚀时间，y表示所述第二步骤中介质层实际需被刻蚀的厚度。

4.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述厚度值采用膜厚量测仪量测得到。

5.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述厚度值采用光学线宽测量仪量测得到。

6.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述一体化刻蚀采用等离子体刻蚀工艺，在等离子体反应刻蚀腔体内进行。

7.如权利要求1所述的一体化刻蚀方法，其特征在于，所述介质层为低介电常数介质层。