[发明专利]一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811013186.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109148267B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 许佳雄;黄晓梦;林俊辉;邱磊;庄楚楠 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：衬底上依次真空溅射锌、锡和铜银合金，得到前驱体；
其中，所述锌的溅射靶材为锌单质靶，所述锡的溅射靶材为锡单质靶，所述铜银合金的溅射靶材为铜银合金靶；
步骤2：将所述前驱体进行硫化，得到银掺杂铜锌锡硫薄膜。
2.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1之后，所述步骤2之前，还包括将所述步骤1重复2～5次。
3.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜银合金靶中银与铜银合金的原子比例为0.1～0.5。
4.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜银合金靶的溅射功率为30～50W。
5.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述锌单质靶的溅射功率为40～60W。
6.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述锡单质靶的溅射功率为40～60W。
7.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空溅射的工作气压为0.1～1.0Pa。
8.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空溅射的本底真空度为5×10-4Pa。
9.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为钠钙玻璃或镀钼的钠钙玻璃。
10.根据权利要求1所述的银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫化的温度为500～580℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
