[发明专利]一种三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

位于所述沟道孔底部的外延结构；

沿所述沟道孔的径向向内的方向依次形成于所述沟道孔侧壁的存储器层、第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层；

所述第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层接触；

所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极；用作所述源极的掺杂类型材料层沿所述沟道孔的轴向延伸至与所述外延结构接触；位于所述沟道孔上方的漏极塞，所述漏极塞与用作所述漏极的掺杂类型材料层接触。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外延结构的材料包括：单晶硅。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，在所述沟道孔的轴向方向上，用作漏极的掺杂类型材料层的底部与所述外延结构的上表面存在间隔。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中的至少一层的材料为SiGe、SiC或a-Si。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：位于所述第二掺杂类型材料层的径向内侧的绝缘芯层。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器层包括：电荷遂穿层、位于所述电荷隧穿层径向外侧的电荷存储层；位于所述电荷存储层的径向外侧的阻挡层。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器为3D NAND。