[发明专利]芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法有效
申请号: | 201811014024.7 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109256339B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 林仲康;韩荣刚;武伟;王亮;唐新灵;张喆;石浩;李现兵;张朋;田丽纷 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 模组 匹配 方法 压接型 igbt 器件 封装 | ||
本发明公开了一种芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法,其中芯片子模组与凸台的匹配方法,通过将芯片子模组的高度偏差进行分组,然后将分组后的芯片子模组的高度偏差分别与随机生成的待匹配凸台的高度偏差进行叠加,计算待匹配凸台的整体数量匹配偏差值,然后与第二预设阈值进行比较,并对待匹配凸台的差值进行补偿直到整体数量匹配偏差小于第二预设阈值,进而实现芯片子模组与待匹配凸台一一对应的目的。本发明可以实现对批量的芯片子模组与待匹配凸台的快速匹配,即提高了匹配效率,且可以使得整体匹配误差较小,通过该匹配方式有利于压接型IGBT器件的封装,进而保证了压接型IGBT器件具有良好的电气特性。
技术领域
本发明涉及功率半导体器件封装技术领域,具体涉及一种芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法。
背景技术
压接型IGBT器件是通过采用压接封装形式对IGBT器件进行封装,将芯片、钼片、金属电极、凸台等,通过机械压力压接在一起,从而保证组件间良好的电气和机械连接。其中芯片、钼片和金属电极构成了压接型IGBT器件的芯片子模组,将芯片子模组安装在凸台上可完成整体封装。由于压接型IGBT器件内部并联了多个芯片子模组,任意两个芯片子模组之间都会存在差异,包括由零部件加工几何尺寸差异导致的累计装配高度偏差,以及芯片电特性参数偏差等。因此,为了减小各种偏差,从而保证压接型IGBT器件具有更好的机械性能和电气特性,有必要研究芯片子模组与凸台的匹配方式。
目前,传统的芯片子模组与凸台的匹配方式,一般利用人工对压接型IGBT器件的芯片子模组的高度参数或电气参数进行筛选,然后,随机匹配装入压接型IGBT器件的管壳凸台中,造成芯片子模组与凸台之间存在较大的匹配偏差,进而导致压接型IGBT器件封装后其压力仍分布不均匀,依然影响压接型IGBT器件的电气性能,并且人工筛选的方式,显然,其效率较低,无法快速完成批量的压接型IGBT器件的封装。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种芯片子模组与凸台的匹配方法,以解决现有技术中芯片子模组与凸台的匹配方式主要利用人工进行匹配,其匹配误差较大,匹配效率较低的问题。
为此,本发明提供了如下技术方案:
本发明实施例提供一种芯片子模组与凸台的匹配方法,包括如下步骤:
S11、获取芯片子模组的高度偏差和数量;
S12、根据所述芯片子模组的高度偏差和数量,对所述芯片子模组的高度偏差进行分组,相邻两组的所述芯片子模组的高度偏差的差值为第一预设阈值;
S13、随机生成多个待匹配凸台的高度偏差,并对所述多个待匹配凸台的高度偏差进行分组,相邻两组的所述待匹配凸台的高度偏差的差值为所述第一预设阈值;
S14、分别统计每组所述芯片子模组的高度偏差的对应数量和每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量;
S15、当每组所述待匹配凸台的高度偏差与每组所述芯片子模组的高度偏差相等时,判断每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量与每组所述芯片子模组的高度偏差的对应数量的差值是否大于零;
S16、当所述差值大于零,根据所述差值计算所述芯片子模组与所述待匹配凸台的整体数量匹配偏差值,并判断该所述整体数量匹配偏差值是否大于第二预设阈值;
S17、当所述整体数量匹配偏差值大于所述第二预设阈值时,对存在所述差值的所述每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量进行差值补偿;
S18、循环所述步骤S13-步骤S17,直到所述整体数量匹配偏差值小于所述第二预设阈值使得所述芯片子模组与所述待匹配凸台匹配为止。
可选地,所述的芯片子模组与凸台的匹配方法,还包括:当所述差值不大于零时,将所述差值清零。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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