[发明专利]一种瞬变电压抑制二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811014089.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109300993B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙春明;陈敏;戴维;虞翔;袁琼;刘宗金;夏杰 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 抑制 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种瞬变电压抑制二极管，其特征在于，包括：
衬底，为P型，包括分别定义有中心区和边缘区的一正面和一背面；
保护层，覆盖于所述衬底的所述正面的所述边缘区之上，并将所述衬底的所述正面的所述中心区内的表面予以暴露；
所述保护层予以暴露的所述衬底的所述正面的所述中心区内制备有一第一N阱，且所述第一N阱中制备有若干栅结构；
所述衬底于所述背面的所述中心区内制备有一第二N阱，以及于所述边缘区内环绕所述第二N阱的环形P阱；
第一金属层，覆盖于所述衬底的所述正面的所述中心区之上；
第二金属层，覆盖于所述衬底的所述背面之上；
所述衬底通过改变电阻率来调节击穿电压；
所述第二N阱通过增加N离子扩散温度，和/或延长扩散时间来降低钳位电压。
2.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述保护层为氧化物层。
3.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述第一金属层还覆盖所述保护层的部分上表面。
4.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述第一N阱为轻掺杂。
5.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述第二N阱为重掺杂。
6.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述环形P阱为重掺杂；所述环形P阱的深度深于所述第二N阱。
7.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，所述第一金属层为铝金属层。
8.一种瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供P型的一衬底，所述衬底包括分别定义有中心区和边缘区的一正面和一背面，于所述衬底的所述正面的所述边缘区之上覆盖有一保护层，所述保护层将所述衬底的所述正面的所述中心区内的表面予以暴露，且所述保护层予以暴露的所述衬底的所述正面的所述中心区内制备有一第一N阱；
步骤S2，于所述第一N阱内制备形成若干栅结构；
步骤S3，制备一第一金属层覆盖于所述衬底的所述正面的所述中心区之上；
步骤S4，于所述衬底于所述背面的所述中心区内制备一第二N阱，以及于所述边缘区内制备环绕所述第二N阱的环形P阱；
步骤S5，制备一第二金属层覆盖于所述衬底的所述背面之上；
所述衬底通过改变电阻率来调节击穿电压；
所述第二N阱用于调节钳位电压；
所述步骤S4中，通过增加N离子扩散的温度，和/或延长所述N离子扩散的时间来降低所述钳位电压。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一N阱为轻掺杂；以及
所述第二N阱为重掺杂。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述环形P阱为重掺杂；所述环形P阱的深度深于所述第二N阱。
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