[发明专利]铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法在审
| 申请号： | 201811014920.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109346390A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈奎;余静;邱叶红;米伟光 | 申请（专利权）人： | 湖北汉光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J43/04;G04F5/14 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 王和平 |
| 地址： | 432000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次发射体 银镁合金 电子倍增器 真空设备 束管 氧气 冷却 制作 致密 水蒸气 活性物质 基体材料 晶体结构 时间连续 寿命要求 真空退火 真空压力 抽真空 金属镁 金属银 原子钟 熔炼 二氧化碳 放入 装配 | ||
1.一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
A)以金属银作为基体材料，以金属镁作为活性物质，熔炼制得银镁合金；
B)将所述步骤A)中熔炼好的银镁合金进行真空退火处理；
C)将所述步骤B)中处理好的银镁合金放入真空设备中升温，然后充入氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种；
D)将所述步骤C)中的银镁合金冷却至室温后，再次将真空设备抽真空，当真空压力小于等于5×10-2Pa后，升温至350℃～550℃，然后充入50Pa～500Pa氧气，再将银镁合金冷却至室温，即在银镁合金表面制得MgO膜，制成二次发射体。
2.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤D)中，当升温至350℃～550℃后，保持10分钟～5小时后再充入氧气。
3.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤D)中，充入氧气后，保持1小时～12小时后，再将银镁合金冷却至室温。
4.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤A)中银镁合金中镁的质量占比为1％～20％。
5.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤B)中退火温度为400℃～450℃，真空压力小于等于1×10-3Pa，退火时间为30分钟～60分钟。
6.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤B)中将熔炼好的银镁合金进行真空退火处理后，使用酒精或丙酮进行清洗。
7.根据权利要求1所述铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：所述步骤C)中真空设备在升温前的真空压力小于等于1×10-3Pa，真空设备在45分钟～90分钟内升温至660℃～720℃，升温完成后保温3分钟～5分钟，然后充入5×10-1Pa～1×10-3Pa的氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种，保持5分钟～15分钟后降温。
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