[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201811015628.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326691A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吕蒙普;叶芸;郭炳磊;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子阱层 多量子阱层 生长 发光二极管外延 三甲基铟 三乙基镓 生长压力 衬底 半导体技术领域 制造 发光二极管 反应室压力 内量子效率 量子垒层 周期交替 反应室 缓冲层 减小 | ||
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型层；
在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层GaN量子垒层，控制反应室压力为500～760torr，向所述反应室通入三乙基镓和三甲基铟生长所述InGaN量子阱层；
在所述多量子阱层上生长P型层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的生长温度为800℃～850℃。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的厚度为2～4nm。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多量子阱层的周期数为8～18。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，控制反应室压力为550torr，向反应室通入130sccm的三乙基镓，生长所述InGaN量子阱层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，向反应室通入2100sccm的三甲基铟，生长所述InGaN量子阱层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，生长所述InGaN量子阱层时，生长时间为210s。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，控制反应室压力为600torr，向反应室通入110sccm的三乙基镓，生长所述InGaN量子阱层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，向反应室通入2100sccm的三甲基铟，生长所述InGaN量子阱层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，生长所述InGaN量子阱层时，生长时间为210s。
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