[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811015764.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109411575B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型GAN层、有源层和P型半导体层，所述N型GAN层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述有源层包括多个量子阱和多个量子垒，多个所述量子阱和多个所述量子垒交替层叠设置；所述量子阱的材料采用氮化铟镓，所述量子垒的材料采用氮化镓，所述发光二极管外延片还包括缺陷改善层，所述缺陷改善层设置在所述N型GAN层和所述有源层之间；所述缺陷改善层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第二子层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓，所述第一子层的厚度为所述第二子层的厚度的1/4~1/2，所述第一子层的厚度为5nm~50nm，所述第二子层中铝组分的摩尔含量小于或等于0.3，所述第二子层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于所述N型GAN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，所述第二子层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1018/cm3~5*1018/cm3。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为15nm~140nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述缺陷改善层的厚度为20nm~150nm。
4.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型半导体层、缺陷改善层、有源层和P型半导体层；
其中，所述缺陷改善层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝，所述第二子层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓，
所述第一子层的厚度为所述第二子层的厚度的1/4~1/2，所述第一子层的厚度为5nm~50nm，
所述第二子层中铝组分的摩尔含量小于或等于0.3，所述第二子层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1018/cm3~5*1018/cm3。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度为600℃~900℃。
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