[发明专利]一种mini LED芯片的制备方法及外延垒晶晶片、芯片

权利要求书

1.一种mini LED芯片的制备方法，其特征在于，芯片尺寸为W，芯片的高度为T，50µm<W<250µm，1<W/T<10，其步骤包括：

a 外延垒晶衬底在外延垒晶前，在外延垒晶衬底上生长以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层；

b 在以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层上外延生长外延垒晶层；

c 定义发光区，制备掩膜，蚀刻出N氮化镓平台、蚀刻出有形发光区至N氮化镓层；

d 在外延垒晶层中的P-氮化镓层、N-氮化镓层上分别制备P电极、N电极，使N型氮化镓层上的N电极与P型氮化镓层上的P电极的上表面水平的差值为h，h≤0.2µm；

e 在外延垒晶晶片上分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处；

f N型氮化镓层上的N电极表面、P型氮化镓层上的P电极表面固定于同一基板的同一表面；

g 利用激光剥离外延垒晶衬底；

h 对mini LED芯片剥离处表面进行抛光减薄芯片厚度至预设厚度；

i 对芯片氮化镓平台支撑层表面进行粗糙化或图形化处理。

2. 根据权利要求1所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的外延垒晶衬底选自蓝宝石衬底、氮化铝衬底、氧化锌衬底、碳化硅衬底，以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层是外延垒晶衬底放在MOCVD内或HVPE中生长出来的。

3.根据权利要求2所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述在外延垒晶衬底上的以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层的厚度选自1µm——100µm之间。

4.根据权利要求3所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述在外延垒晶衬底上的以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层的厚度选自20µm——50µm之间。

5.根据权利要求1所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的d 在外延垒晶晶片上分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处，为外延垒晶晶片上各芯片之间利用深蚀刻或激光切割的方式切割至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处。

6.根据权利要求1所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的f N型氮化镓层上的N电极表面、P型氮化镓层上的P电极表面固定于同一基板的同一表面，基板为非导电硬质基板，包括：蓝膜、剥离板、陶瓷板、硅基板、铝基板。

7.根据权利要求6所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的电极表面固定于同一基板，为通过键合的方式把N型氮化镓层上的N电极表面、P型氮化镓层上的P电极表面固定于同一基板的同一表面。

8.根据权利要求1所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的步骤e 在外延垒晶晶片上分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处，其在制备步骤中可以排在步骤b与步骤g之间的任一步骤前后。

9.根据权利要求1所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的有形发光区包括：方形、六边形、圆形、三角形。

10.根据权利要求9所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述的LED芯片包括：方形、正六边形、等边三角形，其中方形LED芯片的发光区包括：方形、六边形、圆形发光区；正六边形LED芯片的发光区为六边形；等边三角形LED芯片的发光区为三角形。

11.根据权利要求10所述的mini LED芯片的制备方法，其特征在于，其中所述方形LED芯片、等边三角形LED芯片的步骤e 在外延垒晶晶片上分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处，为通过激光或蚀刻的方式分mini LED芯片；正六边形LED芯片的制备步骤中通过蚀刻的方式分mini LED芯片。