[发明专利]一种纳米无机铁电-有机杂化太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201811017405.0 | 申请日: | 2018-09-01 |
公开(公告)号: | CN109449293A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 冯祖勇;邓晓千;黄细平;何苗;龙祖鑫;熊德平 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁电 太阳能电池 有机复合层 无机铁电 有机杂化 活性层 制备 有机聚合物材料 无机纳米材料 电子注入层 空穴传输层 衬底玻璃 电池效率 电子空穴 纳米颗粒 内建电场 自发极化 暗电流 复合层 溶胶层 铁电层 钛酸钡 电极 复合 引入 制造 | ||
本发明涉及太阳能电池制造领域,特别涉及一种纳米无机铁电‑有机杂化太阳能电池及其制备方法,包括从下至上的衬底玻璃、空穴传输层、铁电‑有机复合层、电子注入层和电极,所述铁电‑有机复合层为铁电层和活性层的复合层,铁电‑有机复合层由铁电无机纳米材料BTO和活性层有机聚合物材料P3HT:PCBM形成的(P3HT:PCBM):BTO溶胶层构成。本发明提供一种纳米无机铁电‑有机杂化太阳能电池,引入铁电钛酸钡(BTO)纳米颗粒,利用其自发极化产生的内建电场,抑制电子空穴的复合,降低暗电流的产生,从而达到提高电池效率的目的。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域,特别涉及一种纳米无机铁电-有机杂化太阳能电池及其制备方法。
背景技术
光伏发电是太阳能利用的一种有效方式,是可再生能源利用中重要的组成部分,也是近年来发展最快、最具活力、最受瞩目的研究领域。目前光伏发电在整个能源结构中所占的比重还很小(不到1%),其中最主要的原因是成本太高。据统计,传统的晶硅电池组件成本的65%来自硅片,消耗硅资源多,原材料供应紧张,很难适应未来大规模推广应用的需求。而薄膜太阳电池以其自身特殊的优势在近几年得到了迅速发展:薄膜的使用能够很大程度地节省原材料,降低电池成本;可以采用低温制备技术降低能耗,缩短能源回收期;低温技术的采用还使得玻璃、塑料等廉价衬底的使用成为现实;材料和电池同步制备,工艺简单,可以大面积连续化自动生产。
有机太阳能电池是20世纪90年代发展起来的新型太阳能电池,与无机太阳能电池相比,他具有成本低、厚度薄、质量轻、吸光洗漱高、制造工艺简单、可做成大面积柔性器件等特点。但是目前有机太阳电池的转换效率仍然较低且寿命较短,存在着载流子迁移率低、结构无序、高的体电阻以及电池的耐久性差等问题,是有机太阳能电池实用化和产业化的瓶颈。因此如何有效提高有机半导体对太阳光的吸收、提高激子的分离和迁移,减少激子的复合损失,是提高有机太阳能电池性能的一条重要途径。
铁电材料作为一种新型光伏材料,具有成本低、环境友好、制备工艺简单等优点,具有完全不同于半导体的反常光生伏打效应。铁电材料具有优良的铁电、介电、热释电及压电等特性,在激光技术、光学通讯、数据储存、信息处理、图像存储元件、电光偏振光元件、电容器等方面有非常重要的应用。无机一有机杂化铁电材料集成了无机材料和有机材料的优点,因而备受关注。与传统的p-n结光伏效应不同,铁电光伏效应具有反常的光伏开路电压,这对于提升光电转换效率的极限具有非常重要的指导意义;另外铁电光伏效应因其基于铁电极化诱导的退极化场而分离光生载流子的物理机制,已经在太阳能转化领域得到了广泛研究:
因此,在有机太阳能电池器件结构中引入铁电材料,可利用其强的电极化提供内电场,促进激子分离,降低电子和空穴的复合,从而有望提升电池的光电转换效率,这使得铁电材料增强有机太阳能电池光电转换效率的研究成为国际上一个新兴的领域。
发明内容
本发明的目的在于克服上述已有技术的不足,提供一种纳米无机铁电-有机杂化太阳能电池,引入铁电钛酸钡(BTO)纳米颗粒,利用其自发极化产生的内建电场,抑制电子空穴的复合,降低暗电流的产生,从而达到提高电池效率的目的。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
提供一种纳米无机铁电-有机杂化太阳能电池,包括从下至上的衬底玻璃、空穴传输层、铁电-有机复合层、电子注入层和电极,所述铁电-有机复合层为铁电层和活性层的复合层,铁电-有机复合层由铁电无机纳米材料BTO和活性层有机聚合物材料P3HT:PCBM形成的(P3HT:PCBM):BTO溶胶层构成。
优选地,所述衬底玻璃为ITO导电玻璃,所述ITO导电玻璃的方阻为20Ω/□,覆盖面积为1.5cm×1.5cm,ITO导电玻璃表面覆盖的有效覆盖面积为1.0cm×1.5cm;所述衬底玻璃工作温度为25-200℃。
优选地,电极为蒸镀的Al电极。
优选地,所述电子注入层为LiF电子注入层。
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