[发明专利]非易失性存储设备的操作方法和存储器控制器的操作方法有效
申请号: | 201811018468.8 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109493907B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 金荣昱;金亨镇;申崇晚;李谨焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽;张泓 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 设备 操作方法 存储器 控制器 | ||
在非易失性存储设备处执行的操作方法可包括:通过数据信号(DQ)从外部设备接收编程命令和地址;在模式时段中通过数据信号和与数据信号同步的数据选通信号(DQS)从外部设备接收指定模式;在数据时段中通过数据信号和数据选通信号从外部设备接收用户数据;并且基于确定指定模式是否与特定模式匹配选择性地执行对用户数据的编程操作或恢复操作。在模式时段中数据选通信号的上升沿或下降沿可以与数据信号的窗口的左边沿或右边沿对齐。
相关申请的交叉引用
要求于2017年9月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0116113的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本文描述的发明构思的示例实施例涉及半导体存储器,更具体地,涉及非易失性半导体存储器的操作方法和存储器控制器的操作方法。
背景技术
半导体存储设备分为:易失性存储设备,其在断电时丢失存储在其中的数据,包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM);以及非易失性存储设备,其即使在断电时也保持存储在其中的数据,包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存设备、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。
包括闪存设备的非易失性存储设备被广泛用作计算系统中的存储介质。非易失性存储设备可以被配置为基于各种电信号与存储器控制器通信。在一些情况下,当所述电信号由于在非易失性存储设备的操作期间发生的各种因素而失真时,非易失性存储设备可能无法正常地发送和接收数据。因此,非易失性存储设备的功能可能是次优的。
发明内容
本发明构思的示例实施例提供了非易失性存储设备的操作方法和存储器控制器的操作方法,其中可以实现所述操作方法以提高所述非易失性存储设备和/或存储器控制器的可靠性。
根据一些示例实施例,一种非易失性存储设备的操作方法可以包括:在非易失性存储设备处,通过数据信号(DQ)从外部设备接收编程命令和地址;在非易失性存储设备处,在模式时段中通过数据信号和与数据信号同步的数据选通信号(DQS)从外部设备接收指定模式,其中在模式时段中数据选通信号的上升沿或下降沿与数据信号窗口的左边沿或右边沿对齐;在非易失性存储设备处,在数据时段中通过数据信号和数据选通信号从外部设备接收用户数据;以及在非易失性存储设备处,基于确定指定模式是否与特定模式匹配,选择性地执行对用户数据的编程操作或者恢复操作。
根据一些示例实施例,一种非易失性存储设备的操作方法可以包括:在非易失性存储设备处,通过数据信号(DQ)从外部设备接收编程命令和地址;在非易失性存储设备处,在模式时段中通过数据信号和与数据信号同步的数据选通信号(DQS)从外部设备接收指定模式;在非易失性存储设备处,在数据时段中通过数据信号和数据选通信号从外部设备接收用户数据和循环冗余校验(CRC)码;以及在非易失性存储设备处,基于确定指定模式是否与特定模式不匹配并且基于CRC码从用户数据检测到错误,选择性地执行对用户数据的编程操作或者恢复操作。
根据一些示例实施例,一种用于控制非易失性存储设备的存储器控制器的操作方法可以包括:通过数据信号将命令和地址从存储器控制器发送到非易失性存储设备;在模式时段中通过数据信号和与数据信号同步的数据选通信号将指定模式从存储器控制器发送到非易失性存储设备,其中在模式时段中数据选通信号的上升沿或下降沿与数据信号的窗口的左边沿或右边沿对齐;在数据时段中,通过数据信号和数据选通信号将用户数据从存储器控制器发送到非易失性存储设备;在存储器控制器处从非易失性存储设备接收状态信息;以及响应于状态信息对非易失性存储设备执行恢复操作。
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