[发明专利]射频装置以及其制作方法

说明书

本发明公开一种射频装置以及其制作方法，该射频装置包括埋入式绝缘层、晶体管、接触结构、连接凸块、层间介电层以及铸模化合物层。埋入式绝缘层具有第一侧以及第二侧，且第二侧为于埋入式绝缘层的厚度方向上与第一侧相反的一侧。晶体管设置该埋入式绝缘层的第一侧上。接触结构贯穿埋入式绝缘层而与晶体管电连接。连接凸块设置于埋入式绝缘层的第二侧上且与接触结构电连接。层间介电层设置于埋入式绝缘层的第一侧上且覆盖晶体管。铸模化合物层设置于层间介电层上。铸模化合物层可用以改善射频装置的操作表现且可降低射频装置的制造成本。

技术领域

本发明涉及一种射频装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有铸模化合物层的射频装置以及其制作方法。

背景技术

在半导体制造领域中，集成电路中的元件尺寸不断地微缩以提升芯片效能。然而，随着元件的密度增加，许多电性特征对于元件操作表现上的影响变得更明显，对于微缩化以及相关制作工艺上产生问题。举例来说，在一些射频切换装置(radiofrequency switchdevice)的制作工艺中，有时需将已完成部分制作工艺的半成品移至载板(handlingsubstrate)上来进行后续制成。为了降低对于射频切换元件的影响，一般要求载板需具有高电阻，但具有高电阻的载板较昂贵，进而造成制造成本难以降低。此外，在另一些射频切换装置的制作工艺中，会使用具有富陷阱层(trap rich layer)的绝缘层上覆硅(siliconon insulator，SOI)基底来进行制作工艺，但此基底也有成本昂贵的问题，且此种制作工艺方式易于高温制作工艺中发生劣化，使得射频切换装置的信号损失以及信号失真等问题难以控制。

发明内容

本发明提供了一种射频装置以及其制作方法，在层间介电层上设置铸模化合物层，以铸模化合物层取代制作工艺中所需的载板，由此改善射频装置的操作表现并降低射频装置的制造成本。

本发明的一实施例提供一种射频装置，包括一埋入式绝缘层、一晶体管、一接触结构、一连接凸块、一层间介电层以及一铸模化合物层。埋入式绝缘层具有一第一侧以及一第二侧，且第二侧为于埋入式绝缘层的厚度方向上与第一侧相反的一侧。晶体管设置于埋入式绝缘层的第一侧上。接触结构贯穿埋入式绝缘层而与晶体管电连接。连接凸块设置于埋入式绝缘层的第二侧上且与接触结构电连接。层间介电层设置于埋入式绝缘层的第一侧上且覆盖晶体管。铸模化合物层设置于层间介电层上。

本发明的一实施例提供一种射频装置的制作方法，包括下列步骤。首先，在一埋入式绝缘层的一第一侧上形成一晶体管。在埋入式绝缘层的第一侧上形成一层间介电层，且层间介电层覆盖晶体管。在层间介电层上形成一铸模化合物层。在形成铸模化合物层之后，形成一接触结构贯穿埋入式绝缘层，且接触结构与晶体管电连接。在埋入式绝缘层的一第二侧上形成一连接凸块，而第二侧为于埋入式绝缘层的厚度方向上与第一侧相反的一侧。连接凸块与接触结构电连接。

附图说明

图1为本发明第一实施例的射频装置的示意图；

图2至图6为本发明第一实施例的射频装置的制作方法示意图，其中

图3为图2之后的状况示意图；

图4为图3之后的状况示意图；

图5为图4之后的状况示意图；

图6为图5之后的状况示意图。

图7为本发明第一实施例的射频装置与封装基底接合的示意图；

图8为本发明第二实施例的射频装置的示意图；

图9为本发明第三实施例的射频装置的示意图。

主要元件符号说明

10 基底

20 埋入式绝缘层

30 半导体层