[发明专利]表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法

权利要求书

1.一种表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、清洗基片并烘干，在所述基片上制备一层铬膜；

S2、在所述铬膜上制备一层介质层，其中，所述S2的步骤包括：S2.1、将聚甲基丙甲酸甲酯溶解于二氯甲烷，再加入IR-140染料制得介质层溶液；S2.2、将所述介质层溶液均匀滴在所述基片上，利用旋涂法得到初步介质层，对所述初步介质层进行烘烤得到介质层；以及

S3、在所述介质层上形成一层金属层，所述金属层包括金层或银层，

其中，所述介质层包括聚甲基丙甲酸甲酯、IR-140染料以及二氯甲烷，所述介质层用于提高所述表面等离子体共振传感芯片的灵敏度，并扩大所述表面等离子体共振传感芯片的检测范围。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，所述基片为玻璃基片。

3.根据权利要求2所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，依次用浓硫酸和去离子水煮洗所述玻璃基片。

4.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，步骤S1采用溅射或沉积的方法制备铬膜，所述铬膜的厚度为3nm-10nm。

5.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，对所述初步介质层进行烘烤包括在100摄氏度下烘烤5min。

6.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，在将所述介质层溶液均匀滴在所述基片上之后还包括匀胶步骤，匀胶的时长为15s，匀胶的速度为500rpm。

7.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，所述旋涂法的旋涂时长为1min，旋涂速度的范围为3000rpm-5000rpm。

8.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感芯片的制备方法，其特征在于，根据IR-140染料的不同配比制得不同厚度的介质层。

9.一种利用根据权利要求1-8中任一项所述的方法制备的表面等离子体共振传感芯片进行检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

Sa、将待测物用缓冲液配制成不同浓度的标准溶液，将所述不同浓度的标准溶液分别与定量的待测物的抗体混合，得到不同浓度的混合溶液；

Sb、分别用表面等离子体共振传感芯片与所述不同浓度的混合溶液进行反应，对所述表面等离子体共振传感芯片的反应区进行定点监测，获得各个标准溶液的标准曲线；以及

Sc、对所述表面等离子体共振传感芯片进行处理，继续检测下一个样品。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述定点监测包括如下步骤：

用光源照射缓冲液，扫描所述光源的入射角度，得到吸收峰曲线；以及

在所述吸收峰曲线中选择线性区域中的一个角度进行定位，并进行监测。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在得到所述吸收峰曲线之后还包括如下步骤：

用多项式拟合算法对数据进行处理，得到所述吸收峰曲线的拟合曲线。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述多项式拟合算法的拟合次数为9次-11次。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤Sa之前还包括以下步骤：

SA、制备一系列浓度梯度的甘油，依次用所述表面等离子体共振传感芯片进行检测。