[发明专利]一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201811019125.3 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109346456A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;卢宽宽;彭俊彪;姚日晖;魏靖林;刘贤哲;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布线电极 铜互连 制备 电子器件 铜合金 衬底 薄膜层 薄膜电极材料 化学气相沉积 电化学 磁控溅射 导电电极 离子溅射 电阻率 溅射 沉积 薄膜 蒸发 | ||
1.一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。
2.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述衬底选自玻璃衬底、单晶硅衬底、SiOx衬底、SiNx衬底、Al2O3衬底、IZO衬底、IGZO衬底或耐热柔性衬底。
3.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜合金薄膜层的厚度为5～1000nm。
4.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构。
5.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜合金薄膜的材料成分中，Cr的重量百分含量为0.01％～1％，Zr的重量百分含量为0.01％～1％，Pr的重量百分含量为0.01％～0.5％。
6.根据权利要求5所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜合金薄膜的材料成分中，Cr的重量百分含量为0.2％～0.4％，Zr的重量百分含量为0.05％～0.2％，Pr的重量百分含量为0.01％～0.1％。
7.根据权利要求5所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极，其特征在于：所述铜合金薄膜的材料成分中，Cr的重量百分含量为0.3％，Zr的重量百分含量为0.1％，Pr的重量百分含量为0.05％。
8.权利要求1～7任一项所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。
9.根据权利要求8所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极的制备方法，其特征在于：所述沉积铜合金薄膜层后在温度100～500℃的温度下进行退火处理0.5～5h。
10.根据权利要求9所述的一种显示用电子器件铜互连布线电极的制备方法，其特征在于：所述退火处理的温度为350℃。
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