[发明专利]一种中子俘获治疗系统

权利要求书

1.一种中子俘获治疗系统，其特征在于，包括：离子束产生系统(10)、离子束切换系统(20)、中子治疗系统(30)和治疗室(40)；

所述离子束产生系统(10)，用于提供稳定的离子束，包括直线加速器系统；

所述离子束切换系统(20)，与所述离子束产生系统(10)连接，用于将离子束方向调整为不同方向，所述离子束切换系统(20)的数量为至少两个；

所述中子治疗系统(30)，与所述离子束切换系统(20)连接，用于进行不同方向的照射治疗，所述中子治疗系统(30)的数量为至少两个，且所述中子治疗系统(30)与所述离子束切换系统(20)一一对应；

所述治疗室(40)，所述中子治疗系统(30)设置在所述治疗室(40)内，所述治疗室(40)的数量为至少一个，且每一治疗室(40)内包括至少两个不同方向的中子治疗系统。

2.根据权利要求1所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，还包括测控系统(50)，所述测控系统(50)分别与所述离子束产生系统(10)、所述离子束切换系统(20)和所述中子治疗系统(30)连接。

3.根据权利要求1所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述不同方向包括水平方向、垂直方向和斜45度方向中的至少两个方向。

4.根据权利要求1所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述直线加速器系统包括依次连接的低能传输系统、射频四极场RFQ加速器、中能传输系统和漂移管DTL加速器，所述漂移管DTL加速器与所述离子束切换系统(20)连接。

5.根据权利要求4所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述离子束切换系统(20)包括偏转磁铁，所述偏转磁铁包括水平方向90度偏转磁铁(21)、垂直方向90度偏转磁铁(22)和45度偏转磁铁(23)。

6.根据权利要求1所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述中子治疗系统(30)包括靶；所述靶的材料为锂或铍。

7.根据权利要求6所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述中子治疗系统(30)还包括射束入口端、中子束整形体、冷却系统和出口照射端，所述中子束整形体包括快中子慢化体、热中子吸收体、γ射线屏蔽体以及中子束流准直器。

8.根据权利要求1所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，每一所述治疗室(40)内设置有治疗床(41)和定位装置。

9.根据权利要求1-8之一所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述离子束切换系统(20)的数量为四个，所述中子治疗系统(30)的数量为四个，所述治疗室(40)的数量为两个。

10.根据权利要求9所述的中子俘获治疗系统，其特征在于，所述四个离子束切换系统(20)分别为第一离子切换系统(20A)、第二离子切换系统(20B)、第三离子切换系统(20C)和第四离子切换系统(20D)，所述第一离子切换系统(20A)为水平方向离子切换系统，所述第二离子切换系统(20B)为垂直方向离子切换系统，所述第三离子切换系统(20C)为斜45度离子切换系统，所述第四离子切换系统(20D)为斜45度离子切换系统；

所述四个中子治疗系统(30)分别为第一中子治疗系统(30A)、第二中子治疗系统(30B)、第三中子治疗系统(30C)和第四中子治疗系统(30D)，所述第一中子治疗系统(30A)为水平方向中子治疗系统，所述第二中子治疗系统(30B)为垂直方向中子治疗系统，所述第三中子治疗系统(30C)为斜45度中子治疗系统，所述第四中子治疗系统(30D)为斜45度中子治疗系统；

所述第一离子切换系统(20A)与第一中子治疗系统(30A)连接，所述第二离子切换系统(20B)与第二中子治疗系统(30B)连接，所述第三离子切换系统(20C)与第三中子治疗系统(30C)连接，所述第四离子切换系统(20D)与第四中子治疗系统(30D)连接；

所述两个治疗室(40)分别为第一治疗室(40A)和第二治疗室(40B)；

所述第一中子治疗系统(30A)与所述第三中子治疗系统(30C)设置在所述第一治疗室(40A)内，所述第二中子治疗系统(30B)与所述第四中子治疗系统(30D)设置在所述第二治疗室(40B)内。