[发明专利]制造掩模的方法

权利要求书

1.一种制造用于光刻工艺的掩模结构的方法，所述方法包括：

-提供在其一侧上覆盖有吸收层(20)的基材(10)，

-在吸收层(20)上方提供包括至少一个开口(80)的图案化层(30)，

-在至少一个开口(80)中形成至少一个辅助掩模特征(41)；

其中，

所述至少一个辅助掩模特征(41)通过进行定向自组装(DSA)图案化工艺形成，该工艺包括诱导设置在所述至少一个开口(80)中的BCP材料相分离为第一部分(41)和第二部分(42)，所述第一部分(41)是至少一个辅助掩模特征并且相对于第二部分(42)周期性分布。

2.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述图案化层(30)是图案化的光致抗蚀剂层。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述图案化层(30)是图案化的旋涂碳层。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，进行DSA图案化工艺还包括选择性地去除BCP材料的第二部分(42)，并且该方法还包括通过使用图案化层(30)和至少一个辅助掩模特征(41)作为掩模来图案化吸收层(20)。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，进行DSA图案化工艺还包括在诱导相分离之后，选择性地将金属或陶瓷材料注入第一部分(41)中。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，中性层(50)与吸收层(20)和图案化层(30)接触并夹在吸收层(20)与图案化层(30)之间。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个开口(80)是沟槽。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一部分(41)和所述第二部分(42)为层状结构的形式。

9.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个开口(80)是具有圆形、矩形、椭圆形或正方形形状的孔。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一部分(41)是被所述第二部分(42)包围的圆柱形结构的形式。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述BCP材料是不对称的。

12.一种用于光刻工艺的掩模结构(100；110)，其包括：

-在其一侧上覆盖有吸收层(20)的基材(10)，

-在吸收层(20)上方的包括至少一个开口(80)的图案化层(30)，

-在至少一个开口(80)中的至少一个辅助掩模特征(41)，其是BCP材料的第一部分(41)并且相对于BCP材料的第二部分(42)周期性分布。

13.如权利要求12所述的掩模结构，其特征在于，所述图案化层是图案化的光致抗蚀剂层。

14.如权利要求12或13所述的掩模结构，其特征在于，所述BCP材料是不对称的。

15.如权利要求12-14中任一项所述的掩模结构，其特征在于，所述掩模结构还包括与吸收层(20)和图案化层(30)接触并夹在吸收层(20)与图案化层(30)之间的中性层(50)。