[发明专利]一种防栅极漏电流的MOS-HEMT在审
| 申请号： | 201811020247.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109300986A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明;洪铭福 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 栅极漏电流 漏极 源极 金属电极 欧姆接触 提高组件 依次层叠 依次设置 组件功率 导电带 缓冲层 上表面 衬底 穿隧 基板 | ||
【权利要求书】：
1.一种防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层，所述AlGaN层的上表面从左到右有依次设置有源极、介电层以及漏极，所述AlGaN层分别与所述漏极和所述源极形成欧姆接触，所述介电层上方设置有栅极，所述介电层为High-k材料。
2.根据权利要求1所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层使用原子层沉积形成。
3.根据权利要求1或2所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层的材料为HfO2、MgO、TiO2、Ga2O3、旋涂式介电材料、拓扑绝缘体中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述缓冲层的材料为AlN或low temperature GaN。
5.根据权利要求3所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述AlGaN层的厚度小于25nm。
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