[发明专利]硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法在审
| 申请号： | 201811020525.6 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN108897150A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 温中泉;陈刚;张智海;梁高峰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/00 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包晓静 |
| 地址： | 400000 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯层 太赫兹波 光泵浦 硅层 光生载流子 调控 插入损耗 耗尽层 石墨烯 电控 串扰 硅基 调制 技术方案要点 反向偏压 费米能级 深度增大 响应 界面处 衬底 导带 升高 施加 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：包括以下步骤：
S1：通过光泵浦技术，使硅层(3)产生光生载流子；
S2：将所述光生载流子扩散到石墨烯层(1)，使所述硅层(3)与所述石墨烯层(1)之间界面处形成耗尽层(2)；
S3：将所述石墨烯层(1)的费米能级升高进入导带；
S4：在所述石墨烯层(1)与所述硅层(3)衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层(2)展宽。
2.根据权利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：所述硅层(3)为N型高阻硅，所述石墨烯层(1)为p型掺杂石墨烯。
3.根据权利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：所述石墨烯层(1)为单层石墨烯，所述单层石墨烯的光吸收率为2％-4％。
4.根据权利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：所述光泵浦技术中的光为连续可见光。
5.根据权利要求2所述的硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：所述p型掺杂石墨烯层(1)的掺杂具体包括：利用石墨烯湿法转移法、物理吸附法或化学吸附法对石墨烯进行掺杂。
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