[发明专利]一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器，其特征在于：所述传感器包括工作电极，以及依次涂覆在所述电极表面的硫化镉量子点层、半导体聚合物量子点层和分子印迹聚合物膜层；其中：所述硫化镉量子点层是将含硫化镉量子点的稀壳聚糖溶液滴涂在洁净的导电玻璃电极上，并在干燥相中于60～80℃条件下干燥2～3h后形成；所述半导体聚合物量子点层是将含半导体聚合物量子点的稀壳聚糖溶液滴涂在所述硫化镉量子点层表面，并在干燥相中于60～80℃条件下干燥2～3h后形成，所述分子印迹聚合物膜采用光聚合形成。

2.权利要求1所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述方法是将硫化镉量子点和半导体聚合物量子点依次涂覆到工作表面，制得基于有机-无机量子点P-N异质结构的光电转换层，然后将含有模板分子α-Solanine的聚合液滴涂在异质结构光电转换层表面，通过光聚合得到分子印迹聚合物膜层，再将模板分子洗脱下来，得到基于半导体有机聚合物量子点和无机硫化镉量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器。

3.根据权利要求2所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的光电转换层具体采用如下方法制备而成，包括如下步骤：

将稀壳聚糖溶液分别与半导体聚合物量子点和硫化镉量子点溶液混合搅拌均匀，分别制得硫化镉量子点混合溶液、半导体聚合物量子点混合溶液；然后取适量硫化镉量子点混合溶液滴涂在洁净的导电玻璃（ITO）电极上，并在干燥相中于60～80℃条件下干燥2～3h后冷却至室温，再取适量半导体聚合物量子点混合溶液滴涂在硫化镉量子点层表面，在干燥相中于60～80℃条件下干燥2～3h后并冷却至室温，即得到基于有机-无机量子点P-N异质结构的光电转换层。

4.根据权利要求2所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述的硫化镉量子点采用如下方法制备而成：采用水热合成的方法，首先将巯基乙酸加入到氯化镉溶液中，搅拌均匀，用氢氧化钠溶液将混合液的pH调节到10，然后将混合液转移到三口圆底烧瓶并在氮气的氛围下加热至沸腾，回流30～40min，再将硫化钠溶液加入烧瓶中回流，再经离心、洗涤，得到无机硫化镉量子点，冲洗溶解并稀释到合适浓度，备用。

5.根据权利要求2所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述的半导体聚合物量子点采用如下方法制备而成：首先将半导体有机聚合物9,9-二辛基聚芴-苯并噻二唑交替共聚物PFBT和功能聚合物苯乙烯-马来酸酐PSMA分别用无水四氢呋喃THF溶解并超声1～2min，然后准备适量超纯水超声3～5min，将PFBT和PSMA的THF溶液混合并超声3～5min后快速注入超纯水中，超声5～10min；再用氮气汽提除去四氢呋喃，将所得溶液用过滤器过滤即可得到所述的半导体有机聚合物量子点。

6.根据权利要求2所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：所述的聚合液包含α-Solanine模板分子、功能单体甲基丙烯酸、交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈。

7.根据权利要求6所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：功能单体甲基丙烯酸、交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈的体积比为 8：3：1；所述α-Solanine模板分子与聚合液体积比为2：3；所述光聚合时间为15min，洗脱时间为3min。

8.权利要求1所述的基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器在α-Solanine毒素的识别和检测中的应用。