[发明专利]一种六边形芯片平面级联显示屏及其生产工艺

权利要求书

1.一种显示屏生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、同时在蓝宝石衬底层和砷化镓衬底层的上表面上刻蚀出规则排列的圆锥体，形成PSS层，在PSS层上进行外延生长，分别制作蓝绿光外延片和红光外延片；

S2、在外延片上经过一系列光刻、台阶刻蚀、ITO蒸镀、电极制作、保护层蒸镀、衬底减薄、背镀反射层工艺，形成芯片；

S3、按照每边长度为8um的正六边形进行芯片切割；

S4、采用离子薄膜转移技术，进行芯片两次转移；

S5、将芯片单元中红光芯片正极、绿光芯片正极、蓝光芯片正极与单元板的倒装焊盘的正极分别相连；

S6、用硅胶胶粘剂在室温48h固化，将若干芯片单元构成单元板；

S7、再将封装好的单元板有序拼合在一起，完成显示屏的制备工艺。

2.根据权利要求1所述的显示屏生产工艺，其特征在于，在步骤S1中，所述蓝绿光外延片从上到下依次为缓冲层以及N型氮化镓层，所述N型氮化镓层下表面分别设有MQW有源层和N电极，所述MQW有源层下表面设有P型氮化镓层，所述P型氮化镓层下表面设有P电极，所述N型氮化镓层与所述N电极之间设有金属凸点，所述N电极与所述P电极的下表面位于同一水平线上。

3.根据权利要求1所述的显示屏生产工艺，其特征在于，在步骤S1中，从上到下依次为缓冲层以及N型铝镓铟磷下限制层，所述N型铝镓铟磷下限制层下表面分别设有铝镓铟磷有源层和N电极，所述铝镓铟磷有源层下表面设有P型铝镓铟磷上限制层，所述P型铝镓铟磷上限制层下表面设有P电极，所述N型铝镓铟磷下限制层与所述N电极之间设有金属凸点，所述N电极与所述P电极的下表面位于同一水平线上。

4.根据权利要求1所述的显示屏生产工艺，其特征在于，在步骤S4中，首先将芯片P电极和N电极与临时基板进行贴合，通过范德华力吸附芯片，再通过物理或化学腐蚀的方法，除去所述蓝宝石衬底层和砷化镓衬底层，仅保留光刻后成型芯片，最后将成型红光芯片、绿光芯片、蓝光芯片分别或者同时移到硅基板上，组成芯片单元。

5.一种六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述显示屏生产工艺制得；

包括单元板，所述单元板由若干芯片单元级联组成，各所述芯片单元分别与一倒装焊盘连接，各所述倒装焊盘均位于所述单元板上，所述芯片单元分别由一红光芯片、一蓝光芯片、一绿光芯片相互连接组成，其中，所述蓝光芯片和所述绿光芯片组成蓝绿光芯片，所述芯片单元的一侧为蓝绿光芯片结构，另一侧为红光芯片结构，所述红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片上分别设有正负极，且与所述倒装焊盘上的正负极一一对应。

6.根据权利要求5所述的六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，所述芯片为正六边形结构，所述正六边形的每边为8um。

7.根据权利要求5所述的六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，所述倒装焊盘上的正极为圆形，负极为正六边形。

8.根据权利要求5所述的六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，所述蓝绿光芯片结构从上到下依次为蓝宝石衬底层、缓冲层以及N型氮化镓层，所述N型氮化镓层下表面分别设有MQW有源层和N电极，所述MQW有源层下表面设有P型氮化镓层，所述P型氮化镓层下表面设有P电极，所述蓝宝石衬底层与所述缓冲层之间均匀设有若干圆锥体，所述N型氮化镓层与所述N电极之间设有金属凸点。

9.根据权利要求5所述的六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，所述红光芯片结构从上到下依次为砷化镓衬底层、缓冲层以及N型铝镓铟磷下限制层，所述N型铝镓铟磷下限制层下表面分别设有铝镓铟磷有源层和N电极，所述铝镓铟磷有源层下表面设有P型铝镓铟磷上限制层，所述P型铝镓铟磷上限制层下表面设有P电极，所述砷化镓衬底层与所述缓冲层之间均匀设有若干圆锥体，所述N型铝镓铟磷下限制层与所述N电极之间设有金属凸点。

10.根据权利要求8所述的六边形芯片平面级联显示屏，其特征在于，所述N电极与所述P电极的下表面位于同一水平线上。