[发明专利]一种芯片全屏蔽工艺方法

说明书

本发明提出一种芯片全屏蔽工艺方法，包括：在有机基板的芯板上开槽，对槽的侧壁进行金属化；将芯片正面朝向槽底嵌入到槽内，并在槽内进行介质层压合使芯片埋置于介质层内；在芯片的正面的介质层上开盲孔或盲槽使芯片的芯片管脚露出，并将芯片管脚上面的介质清理掉；对芯片管脚进行金属电镀；对芯片正面需要进行焊接BGA焊球的部分进行阻焊绿油制作，制作后焊接BGA焊球。本发明解决了射频微波系统或芯片的封装屏蔽问题，解决了系统内芯片之间以及封装之间电磁干扰的问题，使系统或单颗芯片封装形成全屏蔽的封装结构。

技术领域

本发明涉及芯片领域，尤其涉及一种芯片全屏蔽工艺方法。

背景技术

随着对电子系统小型化集成度要求越来越高和摩尔定律的失效，系统集成封装(SiP)以其高集成、高性能以及在第三维度上延续摩尔定律等方面优势，成为了重要的封装结构和形式。

但是现有技术中，单颗封装集成多颗芯片形成完整的系统时，存在射频模块系统内不同芯片之间或与外界封装之间复杂电磁兼容问题。

发明内容

基于以上问题，本发明提出一种芯片全屏蔽工艺方法，解决了射频微波系统或芯片的封装屏蔽问题，解决了系统内芯片之间以及封装之间电磁干扰的问题，使系统或单颗芯片封装形成全屏蔽的封装结构。

本发明提出一种芯片全屏蔽工艺方法，包括：

在有机基板的芯板上开槽，对槽的侧壁进行金属化；

将芯片正面朝向槽底嵌入到槽内，并在槽内进行介质层压合使芯片埋置于介质层内；

在芯片的正面的介质层上开盲孔或盲槽使芯片的芯片管脚露出，并将芯片管脚上面的介质清理掉；

对芯片管脚进行金属电镀；

对芯片正面需要进行焊接BGA焊球的部分进行阻焊绿油制作，制作后焊接BGA焊球。

此外，所述芯片的背面具有背金，在芯片的背面的介质层上开设盲孔或盲槽，通过盲孔或盲槽使槽侧壁与背面的背金互连。

此外，芯板的厚度与芯片的厚度相同。

此外，在有机基板的芯板上开槽时，采用激光进行开槽。

此外，对槽的侧壁进行金属化之前，对槽进行化学镀或溅射一层种子层。

此外，在槽内进行介质层压合使芯片埋置于介质层内包括：将介质完全倒入缝隙内，使芯片完全被埋置。

此外，对芯片的正面和背面都进行阻焊绿油制作。

通过采用上述技术方案，具有如下有益效果：

本发明解决了射频微波系统或芯片的封装屏蔽问题，解决了系统内芯片之间以及封装之间电磁干扰的问题，使系统或单颗芯片封装形成全屏蔽的封装结构。

附图说明

图1是本发明一个实施例提供的芯片全屏蔽工艺方法的流程图；

图2是本发明一个实施例提供的单颗芯片全屏蔽封装结构示意图；

图3是本发明一个实施例提供的系统全屏蔽扇出型封装结构示意图；

图4是本发明一个实施例提供的系统全屏蔽结构示意图；

图5是本发明一个实施例提供的工艺流程图；

图6是本发明一个实施例提供的带有背金的芯片组成的系统全屏蔽结构示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施方案和附图对本发明进行进一步的详细描述。其只意在详细阐述本发明的具体实施方案，并不对本发明产生任何限制，本发明的保护范围以权利要求书为准。