[发明专利]集成化的太赫兹波远场超衍射聚焦成像系统有效

专利信息
申请号: 201811024086.6 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109119870B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 温中泉;陈刚;张智海;梁高峰 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 集成化 赫兹 波远场超 衍射 聚焦 成像 系统
【权利要求书】:

1.集成化的太赫兹波远场超衍射聚焦成像系统,其特征是:包括太赫兹波源(4)、光泵浦(1)、太赫兹波聚焦器件(2)和主控制电路(3);

所述太赫兹波源(4)用于发射太赫兹波;

所述光泵浦(1)用于产生持续可见光后照射所述太赫兹波聚焦器件(2);

所述太赫兹波聚焦器件(2)用于改变所述太赫兹波的透射率,以实现所述太赫兹波远场衍射聚焦;

所述主控制电路(3)用于对所述太赫兹波聚焦器件(2)施加偏压,以实现所述太赫兹波聚焦器件(2)动态调焦,所述主控制电路(3)施加偏压的范围为0-5V;所述主控制电路(3)包括有源驱动电路(8)、列数据驱动电路(5)、行数据驱动电路(6)和时序控制电路(7);所述有源驱动电路⑶的有源驱动阵列大小为16X16阵列;

所述主控制电路(3)施加偏压,包括:在不同半径的石墨烯层上施加不同偏压,使得所述太赫兹波聚焦器件出射面形成具有亚波长空间分辨率的透射光场分布。

2.根据权利要求1所述的集成化的太赫兹波远场超衍射聚焦成像系统,其特征是:所述太赫兹波聚焦器件(2)包括硅层(21)和多个与硅层(21)表面抵接的石墨烯层(22);所述石墨烯层(22)呈环形状,多个石墨烯层(22)同心设置,相邻石墨烯层(22)之间间距相等;相邻所述石墨烯层(22)之间环设有与硅层(21)抵接的绝缘层(24);所述绝缘层(24)表面覆盖有导电层(23),导电层(23)两侧分别与相邻石墨烯层(22)抵触。

3.根据权利要求1所述的集成化的太赫兹波远场超衍射聚焦成像系统,其特征是:所述时序控制电路(7)与列数据驱动电路(5)和行数据驱动电路(6)连接;

所述有源驱动电路(8)与列数据驱动电路(5)和行数据驱动电路(6)连接;所述列数据驱动电路(5)包括列位移寄存器(51)、第一锁存器组(52)、第二锁存器组(53)和数字模拟转换器组(54);

所述行数数据驱动电路(6)包括行位移寄存器(61)、电平移位器组(62)和缓冲驱动器组(63);

所述有源驱动电路(8)包括NMOS开关管(81)和存储电容(82)。

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