[发明专利]一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

磁控溅射镀膜步骤：用高纯度工作气体同时轰击高纯度锰靶和铋靶，在基片上共沉积锰铋；

退火步骤：将磁控溅射镀膜后的基片进行退火，得到锰铋合金薄膜；其中，锰的溅射功率为28-40W。

2.根据权利要求1所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜步骤中，本底真空为4.0×10^-5-9.9×10^-5Pa。

3.根据权利要求1所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜步骤中，溅射压强为1.0-2.9Pa。

4.根据权利要求1所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜步骤中，铋的溅射功率为8-12W。

5.根据权利要求1所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜步骤中，溅射时间为1200-3600s。

6.根据权利要求1所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射镀膜步骤中，锰靶基距为4-6cm，铋靶基距为4-6cm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述退火步骤中，退火本底真空为1×10^-4-2×10^-4Pa。

8.根据权利要求7所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述退火步骤中，退火温度为360-390℃。

9.根据权利要求7所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述退火步骤中，退火时间为2-4h。

10.根据权利要求7所述的一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法，其特征在于，所述退火步骤中，升温速率为2-4℃/min，降温速率为1-3℃/min。