[发明专利]建立具有90度阻抗变换区段的非对称发送/接收开关的方法

权利要求书

1.一种用于实现非对称发送/接收开关的装置，包括：

输入端口；

输出端口；

公共端口；

所述输入端口的输入阻抗低于所述输出端口的输入阻抗和所述公共端口的输入阻抗；

第一阻抗匹配网络，耦接在所述输入端口和所述公共端口之间；

第二阻抗匹配网络，耦接在所述公共端口和所述输出端口之间；

第一开关电路，耦接在所述输入端口和电路地电位之间；以及

第二开关电路，耦接在所述输出端口和所述电路地电位之间，其中(i)所述第一阻抗匹配网络在所述第一开关电路处于非导通状态且所述第二开关电路处于导通状态时提供所述输入端口的输入阻抗，(ii)所述第二阻抗匹配网络在所述第一开关电路处于导通状态且所述第二开关电路处于非导通状态时提供所述输出端口的输入阻抗，以及(iii)所述输入端口的输入阻抗与所述输出端口的输入阻抗是非对称的。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述输入端口的阻抗值是所述输出端口和所述公共端口的阻抗值的一部分。

3.如权利要求1或2所述的装置，其中：

所述第一阻抗匹配网络包括阻抗匹配电感器，该阻抗匹配电感器具有耦接在所述输入端口和所述公共端口之间的第一电感；

所述第二阻抗匹配网络包括第二阻抗匹配电感器，该第二阻抗匹配电感器具有耦接在所述输出端口和所述公共端口之间的第二电感；以及

所述输出端口通过电容器耦接到所述电路地电位。

4.如权利要求1或2所述的装置，其中：

收发器发送链的功率放大器的输出端耦接到所述输入端口；

收发器接收链的低噪声放大器的输入端耦接到所述输出端口；

在接收模式下，通过将所述第一开关电路置于所述导通状态以将所述输入端口耦接到所述电路地电位并将所述第二开关电路置于所述非导通状态，将信号从所述公共端口引导到所述低噪声放大器的所述输入端；以及

在发送模式下，通过将所述第一开关电路置于所述非导通状态并将所述第二开关电路置于所述导通状态以将所述输出端口耦接到所述电路地电位，将信号从所述功率放大器的所述输出端引导到所述公共端口。

5.如权利要求1或2所述的装置，其中所述第一开关电路包括：

第一晶体管，被配置为作为开关操作；

电容器；以及

电阻器，其中(i)所述电阻器的第一端子耦接到所述第一晶体管的基极端子，(ii)所述电容器耦接在所述第一晶体管的发射极端子和所述基极端子之间，(iii)所述第一晶体管的所述发射极端子耦接到所述输入端口，以及(iv)所述第一晶体管的集电极端子耦接到所述电路地电位。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述电容器和所述电阻器被选择为防止所述第一晶体管的P-N结由于所述输入端口上的信号而被正向偏置。

7.如权利要求5所述的装置，其中所述第一晶体管包括双极结型晶体管、金属氧化物半导体(MOS)晶体管、场效应晶体管或假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)中的至少一种。

8.如权利要求1或2所述的装置，其中所述第二开关电路包括：

第二晶体管，被配置为作为开关操作；以及

电感器，其中(i)所述电感器的第一端子耦接到所述第二晶体管的基极端子，(ii)所述第二晶体管的发射极端子耦接到所述输出端口，以及(iii)所述第二晶体管的集电极端子耦接到所述电路地电位。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述电感器被选择为减小耦接到所述输出端口的低噪声放大器的插入损耗。

10.如权利要求8所述的装置，其中所述第二晶体管包括双极结型晶体管、金属氧化物半导体(MOS)晶体管、场效应晶体管或假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)中的至少一种。

11.如权利要求1或2所述的装置，其中所述装置包括集成电路上的发送/接收开关。