[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成MOS器件；

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述MOS器件以及半导体衬底的表面，所述阻挡层包括碳薄膜，所述碳薄膜内SP³键含量高于预设含量阈值；

在所述阻挡层表面形成金属互连层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡层还包括：

氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述MOS器件以及半导体衬底，所述碳薄膜覆盖所述氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述碳薄膜的材料选自：金刚石以及SP³键含量高于预设含量阈值的无定形碳。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述碳薄膜；

其中，所述化学气相沉积工艺的工艺参数包括以下一项或多项：

沉积气体包括：烃类气体以及氦气；

沉积温度为50℃至700℃；

沉积压力小于等于10Torr；

沉积厚度为5nm至200nm。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述阻挡层表面形成金属互连层包括：

在所述阻挡层的表面形成层间介质层；

对所述层间介质层和所述阻挡层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽暴露出所述MOS器件的接触区；

在所述沟槽内填充金属材料。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述阻挡层中的碳薄膜进行刻蚀时，刻蚀参数包括以下一项或多项：

刻蚀气体包括：O₂以及氩气；

刻蚀温度为20℃至500℃；

刻蚀压力小于等于10Torr；

刻蚀厚度为5nm至200nm。

7.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

MOS器件，位于所述半导体衬底上；

阻挡层，覆盖所述MOS器件以及半导体衬底的表面，所述阻挡层包括碳薄膜，所述碳薄膜内SP³键含量高于预设含量阈值；

金属互连层，位于所述阻挡层的表面。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡层还包括：

氧化硅层，覆盖所述MOS器件以及半导体衬底，所述碳薄膜覆盖所述氧化硅层。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述碳薄膜的材料选自：金刚石以及SP³键含量高于预设含量阈值的无定形碳。

10.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述金属互连层包括：层间介质层，位于所述阻挡层的表面；

沟槽，位于所述层间介质层和所述阻挡层内，且暴露出所述MOS器件的接触区；

金属材料，位于所述沟槽内。