[发明专利]一种光吸收性能好的单晶硅片

说明书

本发明公开了一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体上表面横向设置有主栅线，所述单晶硅片本体上表面沿所述主栅线垂直方向均匀分布有副栅线，所述单晶硅片本体包括P区和N区，所述P区、所述单晶硅本体以及所述N区从上至下依次排布，所述N区下方设置有金属导电层，所述N区上方设置有聚光层，所述P区两侧设置有上电极，所述N区两侧设置有下电极；本发明的光吸收性能好的单晶硅片，通过在表面设置聚光层，增加了聚光效果，同时在聚光层表面设置二氧化硅薄膜增加单晶硅片的光吸收性能。

技术领域

本发明属于单晶硅片技术领域，尤其涉及一种光吸收性能好的单晶硅片。

背景技术

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等，由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，在路灯领域应用尤其广泛；太阳能电池虽然有诸多优点，可是其高昂的造价使其一般只作为公共设施用途，一款造价低廉、光吸收性能好的单晶硅片是降低太阳能电池造价成本的重要原材料。

发明内容

发明目的：本发明旨在解决上述难题，提出一种光吸收性能好的单晶硅片。

技术方案：一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体上表面横向设置有主栅线，所述单晶硅片本体上表面沿所述主栅线垂直方向均匀分布有副栅线，所述单晶硅片本体包括P区和N区，所述P区、所述单晶硅本体以及所述N区从上至下依次排布，所述N区下方设置有金属导电层，所述N区上方设置有聚光层，所述P区两侧设置有上电极，所述N区两侧设置有下电极。

进一步的，所述聚光层为玻璃材质。

进一步的，所述聚光层上表面覆盖有二氧化硅薄膜。

进一步的，所述单晶硅片本体的厚度为0.3-0.6毫米。

进一步的，所述聚光层为碗型结构。

进一步的，所述单晶硅片本体为正八边形。

进一步的，所述副栅线数量为10-20个。

有益效果：本发明的光吸收性能好的单晶硅片，通过在表面设置聚光层，增加了聚光效果，同时在聚光层表面设置二氧化硅薄膜增加单晶硅片的光吸收性能。

附图说明

图1本发明的结构示意图。

图2本发明的侧视图。

图中：1单晶硅片本体、2P区、3N区、4聚光层、5下电极、6上电极、 7金属导电层、8主栅线、9副栅线。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行进一步的说明。

如图1-2所示：一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，单晶硅片本体上表面横向设置有主栅线，单晶硅片本体上表面沿主栅线垂直方向均匀分布有副栅线，单晶硅片本体包括P区和N区，P区、单晶硅本体以及N区从上至下依次排布，N区下方设置有金属导电层，N区上方设置有聚光层，P区两侧设置有上电极，N区两侧设置有下电极。

聚光层为玻璃材质。

聚光层上表面覆盖有二氧化硅薄膜。

单晶硅片本体的厚度为0.3-0.6毫米。

聚光层为碗型结构。

单晶硅片本体为正八边形。

副栅线数量为10-20个。

本发明的光吸收性能好的单晶硅片，通过在表面设置聚光层，增加了聚光效果，同时在聚光层表面设置二氧化硅薄膜增加单晶硅片的光吸收性能。

尽管本发明就优选实施方式进行了示意和描述，但本领域的技术人员应当理解，只要不超出本发明的权利要求所限定的范围，可以对本发明进行各种变化和修改。