[发明专利]一种稀土离子掺杂硅酸盐光纤及其制备方法有效
申请号: | 201811027379.X | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109052973B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李纳;徐军;王庆国;吴锋;罗平;唐慧丽 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C03C13/04 | 分类号: | C03C13/04;C03B37/023 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 离子 掺杂 硅酸盐 光纤 及其 制备 方法 | ||
1.一种稀土离子掺杂硅酸盐光纤,包括纤芯和包层,其特征在于,所述的纤芯由Yb3+、Nd3+或Tm3+离子掺杂的Y2SiO5、Sc2SiO5、Lu2SiO5或Gd2SiO5单晶构成,包层由石英玻璃构成;其中,Yb3+、Nd3+、Tm3+的掺杂浓度分别为:3~6mol.%、0.3~0.6mol.%、2~5mol.%,Yb3+、Nd3+、Tm3+的掺杂浓度是指Yb3+、Nd3+或Tm3+对应的Yb2O3、Nd2O3或Tm2O3的摩尔量与Yb2O3、Nd2O3或Tm2O3与Re2O3的摩尔量之和的比值,Re表示Y2SiO5、Sc2SiO5、Lu2SiO5或Gd2SiO5中对应的Y、Sc、Lu或Gd。
2.根据权利要求1所述的一种稀土离子掺杂硅酸盐光纤,其特征在于,所述的纤芯是由5mol%Yb3+离子掺杂的硅酸盐光纤构成,所述的纤芯原料配方的摩尔组分包括:Yb2O3,Re2O3和SiO2,其中Re2O3表示Y2O3、Sc2O3、Lu2O3或Gd2O3,Yb2O3与Re2O3的总摩尔量与SiO2的摩尔量之比为1:1,Yb2O3与Re2O3的摩尔百分含量分别为5mol%的Yb2O3,95mol%的Re2O3,Re表示,Y、Sc、Lu或Gd。
3.根据权利要求1所述的一种稀土离子掺杂硅酸盐光纤,其特征在于,所述的纤芯是由0.5mol%Nd3+离子掺杂的硅酸盐光纤构成,所述的纤芯原料配方的摩尔组分包括:Nd2O3,Re2O3和SiO2,Nd2O3与Re2O3的总摩尔量与SiO2的摩尔量之比为1:1,Nd2O3与Re2O3的摩尔百分含量分别为0.5mol%的Nd2O3,99.5mol%的Re2O3,Re表示,Y、Sc、Lu或Gd。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811027379.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。