[发明专利]镍钯金基板的焊接方法、芯片封装方法以及芯片封装结构

权利要求书

1.一种镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，其包括：

将导线通过焊接工具于基板的第一焊接点进行研磨焊接；

将于所述第一焊接点研磨焊接后的所述导线接着于所述基板的第二焊接点依次进行第一段焊接和第二段焊接的组合焊接，所述第一段焊接为研磨焊接或压力焊接，所述第二段焊接为研磨焊接或压力焊接；

其中，所述第一焊接点和所述第二焊接点位于所述基板同一焊盘的不同位置。

2.根据权利要求1所述的镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，所述第一段焊接和所述第二段焊接的焊接方式相同或不同；

优选地，所述第一段焊接和所述第二段焊接的焊接方式不同；

优选地，所述第一段焊接为研磨焊接，所述第二段焊接为压力焊接。

3.根据权利要求2所述的镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，在所述第一焊接点进行研磨焊接时，向所述导线施加第一焊接压力，在所述第二焊接点进行研磨焊接时，向所述导线施加第二焊接压力，在所述第二焊接点进行压力焊接时，向所述导线施加第三焊接压力；所述第一焊接压力小于所述第二焊接压力，所述第二焊接压力小于所述第三焊接压力；

可选地，所述第一焊接压力为10-30grams；优选为10-25grams；优选为10-20grams；

可选地，所述第二焊接压力为60-70grams；优选为60-67grams；优选为62-65grams；

可选地，所述第三焊接压力为75-90grams；优选为75-85grams；优选为78-82grams。

4.根据权利要求2或3所述的镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，在所述第一焊接点进行研磨焊接时，向所述导线施加第一超声波能量，在所述第二焊接点进行研磨焊接时，向所述导线施加第二超声波能量，在所述第二焊接点进行压力焊接时，向所述导线施加第三超声波能量；所述第一超声波能量小于所述第二超声波能量，所述第二超声波能量小于所述第三超声波能量；

可选地，所述第一超声波能量为20-35mAmps；优选为20-30mAmps；优选为22-28mAmps；

可选地，所述第二超声波能量为40-80mAmps；优选为45-75mAmps；优选为50-70mAmps；

可选地，所述第三超声波能量为85-120mAmps；优选为90-110mAmps；优选为95-108mAmps。

5.根据权利要求1所述的镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，在所述第一焊接点进行研磨焊接还包括在研磨焊接过程中以所述第一焊接点为中心进行圆周研磨或垂直研磨或平行研磨，同时进行水平移动；在所述第二焊接点进行研磨焊接还包括在研磨焊接过程中以所述第二焊接点为中心进行圆周研磨或垂直研磨或平行研磨，同时进行水平移动；

优选地，在研磨焊接过程中以所述第一焊接点为中心进行水平移动的方向与在研磨焊接过程中以所述第二焊接点为中心进行水平移动的方向相反；

优选地，沿着所述第一焊接点进行研磨焊接时的水平移动的距离为6-8um；

优选地，沿着所述第二焊接点进行研磨焊接时的水平移动的距离为1-2um；

优选地，沿着所述第一焊接点进行研磨焊接时的研磨幅度为1-3um；

优选地，沿着所述第二焊接点进行研磨焊接时的研磨幅度为1-3um；

优选地，沿着所述第一焊接点进行研磨焊接时的研磨频率为200-250Hz；

优选地，沿着所述第二焊接点进行研磨焊接时的研磨频率为260-290Hz；

优选地，沿着所述第一焊接点进行研磨焊接时的研磨圈数为4-5；

优选地，沿着所述第二焊接点进行研磨焊接时的研磨圈数为1-2。

6.根据权利要求1所述的镍钯金基板的焊接方法，其特征在于，在所述导线经所述第一焊接点研磨焊接后，通过将所述焊接工具向上移动50-100um，并水平移动1-5um使所述导线移动至所述第二焊接点；

优选地，在所述焊接工具从所述第一焊接点移动至所述第二焊接点的过程中，向所述导线施加的超声波能量为10-30mAmps。